《Si(Ge)納米晶磁有序形成與機理》是依託河北師範大學，由甄聰棉擔任項目負責人的青年科學基金項目。
基本介紹
- 中文名：Si(Ge)納米晶磁有序形成與機理
- 項目類別：青年科學基金項目
- 項目負責人：甄聰棉
- 依託單位：河北師範大學
- 負責人職稱：教授
- 批准號：10804026
- 研究期限：2009-01-01 至 2011-12-31
- 申請代碼：A20
- 支持經費：21（萬元）
項目摘要
Si、Ge自旋電子學材料與現有半導體集成工藝相兼容，引起了廣泛的研究興趣。本研究利用射頻共濺射、電漿化學氣相沉積、離子注入和後退火等工藝製備Si (Ge)/SiO2 (SiN)納米結構的異質結薄膜材料。以鑲嵌在SiO2（SiN）中的Si（Ge）納米晶為對象，通過改變熱處理溫度和Si (Ge)含量，觀察其結構的變化，比較研究Si、Ge納米晶粒本身、納米晶粒之間以及不同基質材料SiO2 和SiN對磁性的影響。探索這種未摻雜半導體的磁性產生機制。通過改變製備工藝，試圖提高樣品的居里溫度和飽和磁化強度，深入了解局域磁矩與載流子之間的相互作用、探討磁結構類型。Si（Ge）納米晶磁性的研究必將為探索純半導體材料的磁性帶來更多線索，同時會對Si（Ge）基自旋器件的開發和套用奠定一定的理論與實驗基礎。
