《SOI高壓器件荷致高場理論與新結構》是依託電子科技大學,由羅小蓉擔任醒目負責人的青年科學基金項目。
基本介紹
- 中文名：SOI高壓器件荷致高場理論與新結構
- 依託單位：電子科技大學
- 項目類別：青年科學基金項目
- 項目負責人：羅小蓉
- 批准號：60806025
- 研究期限：2009-01-01 至 2011-12-31
- 申請代碼：F0404
- 支持經費：21（萬元）
- 負責人職稱：教授
項目摘要
SOI技術因其具有高速、低功耗及抗輻照等優點而備受關注。但高壓SOI器件的低擊穿電壓限制其在高壓功率領域的套用。迄今，實用SOI高壓器件耐壓不超過600V，且缺乏指導SOI高壓器件縱向耐壓設計的理論。.本項目圍繞SOI器件的耐壓問題，從耐壓理論、器件結構和耐壓解析模型方面研究。提出SOI高壓器件荷致高場理論，通過引入電荷增強埋層電場而提高器件耐壓。據此，提出部分電荷槽SOI(SOI with the Partial charge Trench，PTSOI)高壓器件新結構,利用介質槽內束縛的電荷使埋層電場從120V/um以下增至400V/um以上，同時，矽視窗使襯底參與耐壓並提供傳熱通道，從而提高耐壓並緩解自熱效應；研究新結構對Si層和埋層電場的調製作用，建立PTSOI器件的耐壓模型；開發非平面埋層SOI材料製備工藝，並研製700V以上的PTSOI器件。本項目是與國際同步的套用基礎。
