S9018矽高頻低噪聲功率管是一種基於N型外延層的電晶體。
基本介紹
- 中文名:S9018
- 結構:擴散型
- 功率特性:小功率
- 極性:NPN型
簡介,參數,電性能參數,
簡介
S9018矽高頻低噪聲功率管是一種基於N型外延層的電晶體。具有高功率增益、低噪聲特性、大動態範圍和理想的電流特性。屬於通用型晶體三極體。軍用微波功率放大器件生產技術的基礎上,為民用市場研製開發了系列高頻和通用三極體,還包括:2SC3356,2SC3357,2SC3838,BFQ591,2SC4226,BFR540,BFR520等,其性能指標同進口同類產品相同。
參數
類別:NPN-矽通用高頻低噪聲寬頻NPN電晶體
集電極-基極電壓VCBO:25V ;
發射極-基極電壓VEBO:4V ;
集電極直流電流IC:60mA;
總耗散功率(TA=25℃)Ptot:200mW ;
工作結溫Tj:150℃ ;
貯存溫度Tstg:-65~150℃;
功率特性:小功率;
極性:NPN型 ;
結構:擴散型 ;
材料:矽(Si) ;
封裝形式:表面貼封裝:SOT-23;
封裝材料:塑膠封裝;
包裝:盤帶包裝,3000pcs/盤;
電性能參數
擊穿電壓:V(BR)CEO=18V,V(BR)CBO=25V,V(BR)EBO=4V
直流放大係數hFE: 70~190@VCE=5V,IC=1mA;
基極發射極飽和壓降VBE(sat): 1.4v@IB=1mA;,IC=10mA;
集電極-基極截止電流ICBO:100nA(最大值)
發射極-基極截止電流IEBO:100nA(最大值)
集電極允許電流IC:0.05(A)
特徵頻率fT:2000MHz@IC=5mA,VCE=5V,f=400MHz;
噪聲係數NF:0.5dB@IC=5mA,VCE=5V,f=400MHz;
功率增益GUM:14dB@IC=5mA,VCE=5V,f=400MHz;
反饋電容Cre:0.65 pF @ IC=ic=0,VCB=5V,f=1MHz;
插入功率增益∣S21∣:11dB@IC=5mA,VCE=5V,f=400MHz。