S-FUT超隱痕植髮技術

S-FUT超隱痕植髮技術,發表於1984年,發表者是Headington博士,是一種植髮方法,具有手術風險低、移植數量大、成活率高等優點,適用於脫髮面積較大餓的人群。

基本介紹

  • 中文名:S-FUT超隱痕植髮技術
  • 發表時間:1984年
  • 發表者:Headington博士
  • 類型:植髮方法
誕生背景,獨有優勢,手術無風險,移植數量大,數量無減縮,真正的隱痕,成活率超高,超自然美觀,適宜人群,

誕生背景

FUT即follicleunittransplant。Follicleunit這一微組織概念,在1984年,Headington博士發表的“TransverseMicroscopicAnatomyoftheHumanScalp”論文中闡述了follicleunit這一概念。1998年,美國醫學博士,植髮專家RassmanWR和BernsteinRM醫生在多年的毛髮移植手術臨床研究中,率先套用FU的概念(IntlJAestheticRestorativeSurgery1995;3:119-32),發明了FUT(follicleunittransplant),開啟植髮新時代。
在FUT誕生15個年頭以來不斷改進,從FUT到第二代FUT再到第三代,有無數患者採用FUT以及FUT接下來的改良系列移植術中受益,但是無論是FUT還是第三代FUT植髮時提取毛囊皮瓣處需要縫合。傷口縫合處會在拆線恢復後會留下一條明顯疤痕,還會使毛囊受到一定損傷,影響植髮後的毛囊成活率等題一直都未沒有妥善的解決方案。
為此重慶歐亞毛髮種植研究院專家組在研究創新性的研究出"S-FUT超隱痕植髮技術"的時候借鑑了一些"S-FUE超精細無痕種植技術"中成功經驗,以及在長期實踐中從手術器械、手法、流程等細節上不斷探索最佳組成,在三代FUT基礎上創新了新的“S-FUT超隱痕植髮技術”,成功率、自然度、創痕都取得了突破性的進展。

獨有優勢

手術無風險

在獨有的“F”技術支撐下,在後枕部或兩側部位提取一塊梭型皮瓣,以供所需之種植毛囊數量。在提取時不會損傷毛囊組織,做到真正的隱痕,正常情況下提取之後的毛髮在經過15-35天內可自行生長出缺失之毛髮,不影響美觀。

移植數量大

一次可提取4500-6000單位,提取速度1500-2500單位/小時,提取成功率100%,徹底杜絕毛囊損傷提取口徑根據毛囊直徑和每個毛囊單位多少感應調節。器械更精細,出血量幾乎為零。
毛囊無損傷
專用德國原裝進口納米級蔡司醫用電子顯微鏡以及美國進口的原裝軍工級毛囊自動分離儀用以專門分離毛囊的奢華組合下研發出的“U”技術,把毛囊單位多餘表皮組織和脂肪組織分離乾淨,減少體積,,以力求降低毛囊的損傷。

數量無減縮

全程德國原裝進口納米級蔡司醫用電子顯微鏡以及美國進口的原裝軍工級毛囊自動分離儀用以專門分離毛囊的奢華組合下研發出的“U”技術操作,取發、種發以及顯微毛囊分離更精確細緻。

真正的隱痕

器械外徑在0.6-0.8毫米完全不留痕跡。使用根據中國人頭髮的特性獨家引進的專業定製重建毛孔器械。

成活率超高

在使用“S”技術下,可使毛髮成活率在97.86%左右,比第三代FUT隱痕技術提高了將近5.6%,這就意味著更加節約。

超自然美觀

由於重慶歐亞毛髮種植研究院最初開始研究“S-FUT超隱痕植髮技術”的時候就考慮到毛髮種植出來之後的自然美觀等效果,經過長達萬次的完美模擬,採用“S-FUT超隱痕植髮技術”種植出的毛髮完全比擬自然生長的毛髮,做到真正的自然美觀。

適宜人群

適合脫髮面積大,且由各種原因引起的禿頂及毛髮稀疏區毛囊移植區;各種燒傷、燙傷、外傷所致疤痕處毛髮移植術;先天額頭過寬,發跡線下移術等等。通過高新FUT微創植髮技術可以幫助這類人群早日擺脫脫髮煩惱,恢復自己完美形象!讓您從此不再脫髮!

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