RE2M2Q2O3/AE2F2M2Q2O型層狀氧硫族金屬化合物的合成及其物性研究

RE2M2Q2O3/AE2F2M2Q2O型層狀氧硫族金屬化合物的合成及其物性研究

《RE2M2Q2O3/AE2F2M2Q2O型層狀氧硫族金屬化合物的合成及其物性研究》是依託中國科學院合肥物質科學研究院,由張守寶擔任項目負責人的青年科學基金項目。

基本介紹

  • 中文名:RE2M2Q2O3/AE2F2M2Q2O型層狀氧硫族金屬化合物的合成及其物性研究
  • 項目類別:青年科學基金項目
  • 項目負責人:張守寶
  • 依託單位:中國科學院合肥物質科學研究院
項目摘要,結題摘要,

項目摘要

低維層狀化合物由於其豐富的物理性質一直吸引著人們的關注,而近幾年層狀Fe基高溫超導體的發現,也掀起了對於具有類似結構的層狀化合物探索的熱潮。而含有多種陰陽離子的氧硫族化合物,多呈現層狀結構,具有類似於FeAs層的過渡族金屬氧硫化合物層。使得此類材料成為一種很好的類似於Cu基、Fe基超導體母相的材料。同時低維層狀氧硫族化合物,由於其處於Mott-Hubbard極限,基態性質並不穩定,而更容易出現各種豐富的物理現象。本項目擬對RE2M2Q2O3/AE2F2M2Q2O型層狀氧硫族過渡金屬氧化物的結構及其物理性質進行系統研究。研究不同的陰陽離子半徑、過渡族金屬外層電子組態對母體性質的影響。同時研究此類材料在壓力、磁場等外界作用下的物理性質變化。並在此研究的基礎上,設計合成其它類似結構的新材料,為探索新型超導體開拓思路。

結題摘要

低微層狀化合物由於其豐富的物理性質一直吸引著人們的關注,含有多種陰陽離子的氧硫族化合物,是一種很好的類似於Cu基、Fe基超導體母相的材料。本項目對RE2M2Q2O3/AE2F2M2Q2O型層狀氧硫族過渡金屬氧化物的結構及其物理性質進行系統實驗研究和理論分析。分別研究了AE2F2M2Q2O型母體材料Sr2F2Mn2Se2O的合成及其物性研究,並研究了此類材料中陽離子、陰離子的替代效應。此外,還對新型超導體Bi4O4S3的合成及其Bi位摻雜效應進行了研究,特別是首次報導了此樣品的熱電性質。我們通過陰陽離子半徑、過渡族金屬外層電子組態對母體結構、電、磁以及熱學性質的影響進行了系統的理論分析。我們發現,無論是陽離子還是陰離子的替代,都可以對母體材料的性質起到相應的調控作用。

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