基本介紹
- 外文名：PZT651T1G
- 材質：矽
- 套用範圍：開關
- 封裝材料：塑膠
材質：矽
套用範圍：開關
封裝材料：塑膠
PZT651T1G，採用SOT-223/–55 to +150封裝方式。
集電極－發射集最小雪崩電壓Vceo(V)：60
集電極最大電流Ic(max)(mA)：2000
直流電流增益hFE最小值(dB)：75
封裝/溫度(℃)：SOT-223/–55 to +150
電晶體類型：NPN
電流-集電極(Ic)（最大）：2A
電壓-集電極發射極擊穿（最大）：60V
Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）：500mV @ 200mA, 2A
功率-最大：800mW
工作溫度：150 ° C（最大）
頻率-轉換：75MHz
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：SOT223
無鉛狀態：無鉛
極性：N溝道
包裝：剪下帶(CT)
