OP275是首款採用巴特勒放大器前端的放大器。這種新型前端設計集雙極性與JFET電晶體於一體，兼有雙極性電晶體的精度和低噪聲性能，以及JFET電晶體的速度和音質。總諧波失真及噪聲(THD+N)與以前的音頻放大器相當，但電源電流低得多。
基本介紹
- 中文名：OP275
- 採用：巴特勒放大器前端的放大器
- 設計：集雙極性與JFET電晶體於一體
- 性能：兼有雙極性電晶體的精度和低噪聲
- 失調電壓：能保證達到1 mV
- 低失真：：0.0006%
產品簡介,技術特徵,
產品簡介
l/f轉折頻率低於6 Hz，因而噪聲密度回響很平坦。無論在30 Hz還是1 kHz測量噪聲，其值僅為6 nV/√Hz。即使在需要較大輸出擺幅時，輸入級的JFET部分也能使OP275具有高壓擺率，從而保持低失真。該器件的壓擺率為22 V/µs，在所有標準音頻放大器中最快。最可喜的是，實現這種低噪聲和高速性能所耗用的電源電流不到5 mA，低於所有標準音頻放大器。相對於純雙極性設計，偏置和失調電流大大降低，從而直流性能得以改善。輸入失調電壓能保證達到1 mV，通常低於200 µV。因此OP275可以用在許多直流耦合或求和套用中，無需進行特別選擇，或者因採用附加失調電壓調整電路而增加噪聲。輸出能夠將600 Ω負載驅動至10 V（均方根）,同時保持低失真。3 V（均方根）時THD+N低至0.0006%。OP275的額定溫度範圍為-40°C至+85°C工業溫度範圍，採用塑封DIP和SOIC-8兩種封裝。SOIC-8封裝以2500片卷盤形式提供。出於各種原因，許多音頻放大器都不提供SOIC-8表貼封裝；不過，OP275經過特別設計，採用表貼封裝也能提供最高性能。
技術特徵
出色的聲波特性
低噪聲: 6 nV/√Hz
低失真：0.0006%
高壓擺率 22 V/µs
寬頻寬：9 MHz
低電源電流：5 mA
低失調電壓：1 mV
低關斷電流：2 nA
單位增益穩定
SOIC-8 封裝
PDIP-8封裝
