《Notch/Hes1信號介導腦腫瘤幹細胞輻射抵抗的分子機制研究》是依託中國人民解放軍第四軍醫大學，由魏麗春擔任項目負責人的面上項目。
基本介紹
- 中文名：Notch/Hes1信號介導腦腫瘤幹細胞輻射抵抗的分子機制研究
- 項目類別：面上項目
- 項目負責人：魏麗春
- 依託單位：中國人民解放軍第四軍醫大學
中文摘要,結題摘要,
中文摘要
近年發現腦膠質瘤中存在腫瘤幹細胞，它們是導致放療後腫瘤未控、復發的主要根源。腫瘤幹細胞具有輻射抵抗（耐受）特性，但其分子機制尚不清楚。結合前期研究和文獻線索，我們提出Notch/Hes1信號介導腦腫瘤幹細胞輻射抵抗的構想，推測該信號通過促進幹細胞增殖、抑制凋亡等途徑，參與腦膠質瘤的輻射耐受，該問題是探索靶向腫瘤幹細胞治療、提高膠質瘤放療療效的突破口。.擬套用CD133免疫標記和流式細胞術，從C6膠質瘤細胞系和人惡性膠質瘤組織中分選腫瘤幹細胞，進行細胞培養和荷瘤動物實驗，研究：1、Notch/Hes1分子在 腫瘤幹細胞的定位與高表達特點；2、該信號對輻射後幹細胞生存、增殖和克隆形成的促進作用，對輻射所致細胞凋亡和H2AX磷酸化（反映DNA雙鏈斷裂）的抑制作用；3、阻斷該信號途徑對荷瘤動物的輻射增敏效應等問題，闡明Notch/Hes1信號介導腦腫瘤幹細胞輻射抵抗的作用與機制。
結題摘要
腦膠質瘤是嚴重危害人體健康的高發性顱內腫瘤，其浸潤性生長導致手術難以切除乾淨，臨床常規需要放射治療，腫瘤輻射抵抗使放療的腫瘤未控和復發率很高，研究闡明膠質瘤輻射抵抗的分子機制，對於提升膠質瘤治療水平具有重要價值。本項目提出“Notch/Hes1信號作為重要細胞轉錄調控分子，可能通過促進腫瘤幹細胞的細胞增殖、減少凋亡等途徑、參與膠質瘤的輻射耐受或輻射抵抗效應”的研究假說。套用腫瘤幹細胞的克隆培養、CD133免疫標記、免疫細胞化學、Western blot、流式細胞檢測分析等技術，觀察電離輻射對腫瘤幹細胞生存、增殖、凋亡、及其Notch/Hes1信號途徑參與作用問題。研究獲得的主要結果：1、成功地從C6膠質瘤細胞株獲取並培養成功腫瘤幹細胞克隆；2、確定Notch信號途徑分子Hes1，5，6在膠質瘤幹細胞的陽性定位表達；3、不同劑量電離輻照後膠質腫瘤幹細胞的細胞生存與凋亡特徵；4、膠質瘤幹細胞Notch信號下游分子Hes1，5，6表達對不同劑量電離輻照的反應；5、Notch信號抑制劑對膠質瘤幹細胞的細胞生長、分裂增殖、細胞分化、功能特性等具有明顯干預效應。綜合分析，初步明確Notch/Hes1信號途徑參與腫瘤幹細胞輻射反應的作用。研究結果為深入認識膠質瘤的病理髮展機制、進一步探索“靶向腫瘤幹細胞”的臨床治療方法提供了新的實驗依據。發表論文5篇、培養研究生4名、獲得一項新的國家自然科學基金面上項目資助。
