《La1-xSrxMnO3/In-MgZnO全氧化物外延異質結器件的製備與性能研究》是依託中山大學，由莊琳擔任項目負責人的面上項目。
基本介紹
- 中文名：La1-xSrxMnO3/In-MgZnO全氧化物外延異質結器件的製備與性能研究
- 項目類別：面上項目
- 項目負責人：莊琳
- 依託單位：中山大學
中文摘要,結題摘要,
中文摘要
本項目提出利用青年科學基金項目中已經系統生長的In-MgZnO合金薄膜作為n型氧化物半導體材料，與p型La1-xSrxMnO3薄膜結合，在晶格常數匹配的單晶襯底上外延生長全氧化物La1-xSrxMnO3/InMgZnO薄膜異質結器件，器件具有良好的電學性能與磁學性能。系統研究不同摻雜比例的p層與n層薄膜所製備器件的整流性能，分析器件的界面電子傳輸與異質結電流產生機理；系統研究外加磁場變化作用下La1-xSrxMnO3薄膜的電阻率與異質結器件整流性能的變化，獲得性能優良的對磁場敏感的電子器件，分析磁場作用下器件載流子的傳輸機理。同時研究溫度變化條件下器件的電學、磁學性能變化，驗證La1-xSrxMnO3/InMgZnO異質結器件的高溫可操控性。在此基礎上，在Si襯底上外延生長La1-xSrxMnO3/InMgZnO器件，驗證器件與大規模積體電路集成的可行性。
結題摘要
利用脈衝雷射沉積法生長In-MgZnO合金薄膜作為n型氧化物半導體材料，與p型La1-xSrxMnO3薄膜結合，在晶格常數匹配的單晶襯底上成功製備了全氧化物 La1-xSrxMnO3/InMgZnO 外延薄膜異質結器件，器件具有良好的電學性能與磁學性能。確定了薄膜的沉積工藝參數及工藝參數對結構、器件性能的影響規律。系統研究了不同摻雜比例的p層與n層薄膜所製備器件的整流性能，分析了器件的界面電子傳輸與異質結電流產生機理；系統研究了外加磁場變化作用下 La1-xSrxMnO3 薄膜的電阻率與異質結器件整流性能的變化，獲得了性能優良的對磁場敏感的電子器件，分析了磁場作用下器件載流子的傳輸機理。研究了溫度變化條件下器件的電學、磁學性能變化，驗證了La1-xSrxMnO3/InMgZnO 異質結器件的高溫可操控性並確定了器件的可操控溫度範圍。在此基礎上，在 Si 襯底上外延生長了La1-xSrxMnO3/InMgZnO器件，驗證了器件與大規模積體電路集成的可行性。
