Kondo效應

Kondo效應是指磁性雜質中的局域自旋與自由電子強關聯相互作用所引起的一系列低溫反常現象

基本介紹

• 中文名：Kondo效應
• 屬於：電磁效應
• 定義：低溫反常現象
• 類型：電磁

基本概念

Kondo效應是指磁性雜質中的局域自旋與自由電子強關聯相互作用所引起的一系列低溫反常現象：大多材料電阻率ρ在高溫下與T成正比，在低溫下與T^5成正比，這是由於聲子數隨材料冷卻而減少造成的；在稀磁合金中，材料電阻在處於Kondo溫度（一般在10~20K）時達到最小值，高於該溫度，電阻率與T^5成正比，而在低於該溫度時與-lnT成正比，隨著溫度的逐漸降低，最終過渡到與T無關的常數。近年來，掃描隧道顯微鏡技術的迅速發展使人們能夠精確地測量單個磁性原子或分子在金屬表面上的Kondo效應，而在原子尺度上探索影響Kondo效應的因素是實現單分子自旋態量子調控的關鍵。

描述問題

Kondo採用傳導電子與磁性雜質間的交換相互作用來描述稀磁合金的問題：

U=-Js·σ，J為交換積分，s是雜質原子自旋（矢量），σ是傳導電子自旋（矢量）（J<0）

計算公式

計算到二級微擾，我們有

△ρ=nρ[1+4Jg(Ef)ln(KT/D)]

g(Ef)是費米態密度，D為導帶半寬，K為波爾茲曼常數