Intel 6264是Intel28引腳雙列直插式晶片,容量是8KB,採用CMOS工藝製造,操作方式由由OE、WE、CE1、CE2的共同作用決定。當OE和CE1為低電平,且WE和CE2為高電平時,數據輸出緩衝器選通,被選中單元的數據送到數據線D7~D0上。
基本介紹
- 中文名:Intel6264晶片
- 容量:8KB
- 工藝製造:CMOS
- 操作方式:由OE,WE,CE1,CE2的共同作用決定
- c:2
特性,操作方式,
特性
A12~A0(address inputs):地址線,可定址8KB的存儲空間。
6264引腳圖
![6264引腳圖 6264引腳圖](/img/c/e8b/nBnauMWMyI2N4E2MzYWYzADMkJ2M4EjZkNmZxU2Y1ETYllzY1ImY1I2MyAzLtVGdp9yYpB3LltWahJ2Lt92YuUHZpFmYuMmczdWbp9yL6MHc0RHa.jpg)
D7~D0(data bus):數據線,雙向,三態。
![](/img/5/22b/e9fcdee0226db8a1791622fb0c84.jpg)
![](/img/7/dfb/e43d9f9d1a13ac908f1859e8215c.jpg)
![](/img/2/40b/d0d57e1bef3d41b2cb5166dfa124.jpg)
CS(chip select):片選信號2,在讀/寫時應輸入高電平。
VCC:+5V工作電壓。
GND:信號地。
操作方式
Intel 6264的操作方式由OE,WE, CE1 , CE2的共同作用決定
① 寫入:當WE和CE1為低電平,且OE和CE2為高電平時,數據輸入緩衝器打開,數據由數據線D7~D0寫入被選中的存儲單元。
② 讀出:當OE和CE1為低電平,且WE和CE2為高電平時,數據輸出緩衝器選通,被選中單元的數據送到數據線D7~D0上。
③ 保持:當CE1為高電平,CE2為任意時,晶片未被選中,處於保持狀態,數據線呈現高阻狀態。