《InGaN/GaN多量子阱中聲子與激子耦合行為研究》是依託南昌大學，由吳小明擔任項目負責人的青年科學基金項目。
基本介紹
- 中文名：InGaN/GaN多量子阱中聲子與激子耦合行為研究
- 項目類別：青年科學基金項目
- 項目負責人：吳小明
- 依託單位：南昌大學
- 批准號：11604137
- 申請代碼：A2207
- 負責人職稱：副研究員
- 研究期限：2017-01-01 至 2019-12-31
- 支持經費：24（萬元）
項目摘要
InGaN/GaN多量子阱是高亮度藍光和綠光LED的有源區，應變和局域態是量子阱的兩大特性，對器件性能有決定性的影響。目前研究難以表征量子阱發光時的應變，聲子與激子的耦合包含量子阱發光時應變與激子局域化信息。本項目擬著眼於量子阱低溫電致發光譜的聲子伴線，根據縱光學聲子頻率和耦合強度研究量子阱發光時的應變和局域態。內容包括：（1）不同電流密度下發光阱應變變化及機理；（2）量子阱生長方法和阱壘結構影響激子局域化程度和器件性能的機理。本項目有望：第一，將GaN基LED中聲子與激子耦合頻率的探測發展為對量子阱發光時應變進行表征的一種全新手段；第二，通過系統研究激子局域化影響因素以及對器件性能的影響機理，在InGaN量子阱發光機理的認識上實現新的突破，並在此基礎上改進量子阱結構與最佳化生長條件，提升器件性能。
