《IV-VI族半導體納米晶體的合成、表征與性質研究》是依託吉林大學，由闞世海擔任項目負責人的面上項目。
基本介紹
- 項目名稱：IV-VI族半導體納米晶體的合成、表征與性質研究
- 批准號：10374034
- 項目類別：面上項目
- 申請代碼：A20
- 項目負責人：闞世海
- 負責人職稱：教授
- 依託單位：吉林大學
- 研究期限：2004-01-01 至 2006-12-31
- 支持經費：28（萬元）
項目摘要
半導體納米晶體的性質不僅與尺寸有關，表現在半導體的能頻寬度隨尺寸減小而增大，即量子限域效應；而且與形狀有關，如偏振發光特性。這為納米尺寸固體的新的基本性質的研究以及新型超小尺寸器件的研製提供了機會。利用金屬有機單體在配位有機溶劑中的熱裂解反應是已知的合成高質量的半導體納米晶體的最有效的方法；用此方法合成的CdSe, InAs、PbSe 等納米晶(量子點)已顯示了在螢光生物標記，雷射材料，及發光二極體等領域的套用前景。IV-VI族半導體化合物是窄能帶、強限域半導體材料,具有重要的基礎與套用研究價值。本課題旨在深入研究該族半導體納米晶體的合成與形狀控制,以及尺寸、形狀與性質的關係，並研究高壓對半導體納米晶的結構與性質的影響。為其在光電子領域的套用提供基礎。
