《III族氮化物半導體微腔及激子與光子的相互作用》是章蓓為項目負責人,北京大學為依託單位的面上項目。
基本介紹
- 中文名:III族氮化物半導體微腔及激子與光子的相互作用
- 項目類別:面上項目
- 項目負責人 :章蓓
- 依託單位 :北京大學
- 負責人職稱:教授
- 批准號:19774008
- 申請代碼:A2001
- 研究期限:1998-01-01至2000-12-31
- 支持經費:12(萬元)
《III族氮化物半導體微腔及激子與光子的相互作用》是章蓓為項目負責人,北京大學為依託單位的面上項目。
《III族氮化物半導體微腔及激子與光子的相互作用》是章蓓為項目負責人,北京大學為依託單位的面上項目。項目摘要本項目研究了紫外、藍、綠(稀土鋱配合物)和紅(銦鎵磷)波段光學微腔的微腔效應以及Ⅲ族氮化物半導體量子阱及其微腔的...
III族氮化物材料是一種新型的半導體材料,具有激子束縛能大、載流子輻射複合時間短、套用波段寬等諸多優點,在微腔套用方面具備許多獨特的優勢。氮化物微諧振腔無論在理論還是在套用方面都有重要研究價值。但由於製作困難,目前其研究尚處於起步階段。本項目將圍繞氮化物微諧振腔的設計、製備以及物理研究開展工作。通過設計...
《III族氮化物半導體單根納米線微腔電致發光和雷射》是依託北京大學,由戴倫擔任項目負責人的面上項目。項目摘要 以III族氮化物半導體這一在光電子領域中極有潛力的新型材料係為研究對象,採用基於氣-液-固生長機制的化學氣相沉積(CVD)和雷射輔助催化生長(LCG)法,在p-Si襯底上生長具有典型光學微腔結構的n型單晶納米...
研究課題 一、 GaN基光電子器件研究 (1)GaN基藍紫光雷射二級管研究 (2)GaN基紫外二極體的研究 (3) GaN基紫外探測器的研究 二、 GaN基半導體異質結構電子材料與器件 三、 稀磁半導體及自旋電子學 四、 III族氮化物半導體材料的MOCVD和HVPE外延生長 五、 微腔物理及微結構光子學
通過改變樣品溫度和激發光功率,採用瞬態和微腔中測量等手段,對量子阱發光的壘層厚度依賴關係、發光物理機制、量子阱之間的耦合狀態、瞬態動力學特性、與微腔的相互作用等進行了系統研究,確定了最佳的量子阱結構,探討了其在氮化物光電器件中的套用。研究中取得的主要成果如下: 1. 不同GaN上勢壘層厚度的InGaN/G...