《ICP電漿中基片調諧自偏壓特性及雙穩態機理研究》是依託大連理工大學,由丁振峰擔任醒目負責人的面上項目。
基本介紹
- 中文名：ICP電漿中基片調諧自偏壓特性及雙穩態機理研究
- 依託單位：大連理工大學
- 項目類別：面上項目
- 項目負責人：丁振峰
- 批准號：10175014
- 申請代碼：A2907
- 負責人職稱：教授
- 研究期限：2002-01-01 至 2004-12-31
- 支持經費：23（萬元）
項目摘要
利用外部調諧電路調切ICP電漿的基片自偏壓。研究不同放電參數、裝置和電極位型下饜匙雲溝奶匭裕扒筇岣吆塗刂苹饜匙雲溝姆椒ǎ謊芯炕饜匙雲顧取⒒刂拖窒螅剿髕浞竅噝曰砉獺Ｎ⒄掛瘓嘆哂蠭CP電漿優點、高性能沈積用電漿源技術奠定實驗基礎，並同時增加對射頻電漿物理及非線性現象的認識
