《Ge和SiGe量子點的生長、結構表征及發光特性研究》是依託復旦大學，由蔣最敏擔任項目負責人的面上項目。
基本介紹
- 中文名：Ge和SiGe量子點的生長、結構表征及發光特性研究
- 依託單位：復旦大學
- 項目類別：面上項目
- 項目負責人：蔣最敏
- 負責人職稱：教授
- 申請代碼：F0405
- 研究期限：1998-01-01 至 2000-12-31
- 批准號：69776010
- 支持經費：11（萬元）
項目摘要
在適當的臨界生長條件下得到均勻性很好的Ge量子點，其尺寸均勻性為±3%，為至今國際上報導的最好值。在國內首次開展掠入射X線衍射實驗，並利用北京同步輻射光源測量了Si（001）襯底上自組織生長量子點的組分和應變，發現形成的量子點為Ge組分為0.55並且約50%應變馳豫的合金量子點。此外，在掠入射衍射時首次在Si（220）襯底峰的高角處觀察到一個峰，對應於生長平面方向上-0.8%的晶格壓縮，為量子點形成時在量子點周圍矽的近表面區（≤100A）張起的壓變區的衍射所致。實驗上直接證實成島生長時將在矽中引入應變，畸變的矽初底（張應變區）反過來部分馳豫量子點中的應變。利用TEM觀察也發現有大量的襯底矽原子遷移到量子點中，指出除了成島和失配位錯的形成，合金化為失配應變馳豫的另一途徑，對經典的S-K生長模型提出了新的看法。
