基本介紹
- 中文名：GaN晶體
- 晶格常數：0.3180nm
- 密度：6.lg/cm3
- 熔點約：1500℃
周期表第Ⅲ A，VA族元素化合物，原子晶體，半導體。六方晶系纖礦型結構，為直接帶隙半導體。 室溫禁頻寬度3.39eV。電子和空穴有效慣性質量分別為0.19和0.6。電阻率>107Ω·m，電子遷移率 (1.25～1.50)×10-2m2/(V·s)。採用化學氣相澱積法製備。
周期表第Ⅲ A,VA族元素化合物,原子晶體,半導體。六方晶系纖礦型結構,為直接帶隙半導體。 室溫禁頻寬度3.39eV。電子和空穴有效慣性質量分別為0.19和0.6。電阻...
GaN即氮化鎵,屬第三代半導體材料,六角纖鋅礦結構。GaN 具有禁頻寬度大、熱導率高、耐高溫、抗輻射、耐酸鹼、高強度和高硬度等特性,是現在世界上人們最感興趣的...
氮化鎵,分子式GaN,英文名稱Gallium nitride,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導體,自1990年起常用在發光二極體中。此化合物結構類似纖鋅礦,...
Nd:YAG晶體是目前綜合性能最為優異的雷射晶體。雷射波長1064nm,廣泛用於軍事、工業...白光LED的製作方法通常是用高效InGaN/GaN基藍色LEDs發出藍光激發YAG:Ce稀土螢光粉...
GaN 是一種寬頻隙化合物半導體材料,具有發射藍光、高溫、高頻、高壓、大功率和耐酸、耐鹼、耐腐蝕等特點,是繼鍺、矽和砷化鎵之後最主要的半導體材料之一。使得它在...
對於包括半導體在內的晶體,其中的電子既不同於真空中的自由電子,也不同於孤立原子中的電子。真空中的自由電子具有連續的能量狀態,即可取任何大小的能量;而原子中的...
自支撐同質外延GaN,AlN和AlGaN襯底是目前最有可能首先獲得實際套用的襯底材料。(2)藍寶石(α-Al2O3)和6H-SiCα-Al2O3單晶,即藍寶石晶體。(0001)面藍寶石是...
單晶材料是一種套用日益廣泛的新材料,由單獨的一個晶體組成,其衍射花樣為規則的點陣。...
GaN晶體薄膜的光致發光譜均存在一個非常寬且比較複雜的黃光發射帶,從給出的譜線形狀可判斷,其包含有多個發光峰,這說明黃光發光帶是由多個躍遷過程產生的。...