GaN 基發光二極體的製作方法

GaN 基發光二極體的製作方法是由圓融光電科技股份有限公司完成的科技成果，登記於2018年12月29日。

基本介紹

• 中文名：GaN 基發光二極體的製作方法
• 類別：科技成果
• 完成單位：圓融光電科技股份有限公司
• 登記時間：2018年12月29日

成果信息

成果名稱	GaN 基發光二極體的製作方法
成果完成單位	圓融光電科技股份有限公司
批准登記單位	安徽省科學技術廳
登記日期	2018-12-29
登記號	2018N993Y007913
成果登記年份	2018

項目成員

姚禹；鄭遠志；陳向東；康建；梁旭東