《GaAs被動調Q的溫度效應研究》是依託煙臺大學，由蘭瑞君擔任項目負責人的青年科學基金項目。
基本介紹
- 中文名：GaAs被動調Q的溫度效應研究
- 項目類別：青年科學基金項目
- 項目負責人：蘭瑞君
- 依託單位：煙臺大學
項目摘要,結題摘要,
項目摘要
被動調Q是獲取納秒脈衝雷射器的有效手段，與主動調Q相比，被動調Q具有造價低廉、操作簡便、參數設計靈活等優勢。目前，1µm波段使用最為廣泛的被動調Q飽和吸收體是Cr4+:YAG晶體，基於Cr4+:YAG晶體的被動調Q雷射器已經產業化。半導體GaAs也是該波段優良的飽和吸收體，具有非線性係數高、光傷閾值高、物化性能穩定等優點，但所獲取的脈衝序列穩定性往往較低。本人此前的研究表明GaAs溫度的變化可以影響輸出脈衝的穩定性及脈衝寬度。在高溫條件下，雙光子、載流子等非線性吸收方式的介入，使脈衝序列逐漸趨於穩定並伴隨著脈衝縮短效應。本項目擬採用GaAs作為飽和吸收體，Nd:YAG晶體和摻釹釩酸鹽混晶作為雷射介質，深入研究溫度對GaAs的脈衝輸出性能的影響規律，對提升GaAs被動調Q雷射器的性能具有重要意義。
結題摘要
被動調Q是獲取納秒脈衝雷射器的有效手段，除了廣泛套用的Cr4+:YAG晶體，半導體GaAs也是1微米波段優良的飽和吸收體，具有非線性係數高、光傷閾值高、物化性能穩定等優點，但所獲取的脈衝序列穩定性往往較低。本項目採用GaAs作為飽和吸收體，Yb:NaYLa(VO4)2晶體和Yb:NaY(WO4)2晶體作為雷射介質，深入研究了GaAs作為飽和吸收體的雷射器脈衝輸出性能，得出了溫度與GaAs被動調Q脈衝的穩定性及脈衝寬度的對應關係，對提升GaAs被動調Q雷射器的性能具有重要意義。項目還對GaAs作為2微米雷射飽和吸收體的可能性做出了嘗試，並與Ho:YAG陶瓷、Tm:KLuW晶體的石墨烯，碳納米管，SESAM被動調Q雷射器性能進行了對比研究。研究結果表明，在高泵浦功率條件下，雙光子、載流子等非線性吸收方式的介入，使脈衝序列逐漸趨於穩定並伴隨著脈衝縮短效應。
