Exynos 4412又稱為Exynos 4 Quad,Exynos 4412採用了三星32nm HKMG工藝,是三星的第一款四核處理器。
基本介紹
- 中文名:暫無
- 外文名:EXYNOS4412
- 別稱:Exynos 4 Quad
- 隸屬公司:三星
- 類型:四核處理器
- 採用工藝:32nm HKMG工藝
簡介
Cortex A9時代三星一共發布了兩代產品,第一代是Galaxy S II和MX採用的Exynos 4210,第二代有兩款,一款是雙核的Exynos 4212,一款是四核的Exynos 4412。第一代產品採用的是45nm工藝製造,由於三星的45nm工藝在業內是比較落後的,雖然通過種種手段將Exynos 4210的頻率提升到了1.4GHz,但這么做的代價也是非常明顯的——功耗激增(這點在MX上我們也看到了)。總體而言,Exynos 4212和4412在架構上和Exynos 4210並沒有區別,大體上的硬體配置也是一樣的,最大的區別就在於Exynos 4212/4412採用了三星最新的32nm HKMG工藝。
功耗
那么這個工藝到底有多少效果?三星放出了一段視頻,其中給出了精確的功耗對比。
左邊是GPU的功耗對比,右邊是CPU的功耗對比。圖中4210和4212的GPU都運行在266MHz的頻率下,而CPU則是4210運行在1.2GHz,4212運行在1.5GHz。結果很明顯,不論是CPU還是GPU,32nm HKMG的功耗都比45nm低40%,CPU甚至是在頻率高了25%的情況下。1.2GHz的Exynos 4210,CPU滿載的平均功耗達到了1.6W,而4212則不到1W,而MX採用的CPU頻率高達1.4GHz,因此可想而知,滿載功很可能接近2W大關,足足是4212的兩倍。
這樣的差距在實際上會進一步得到放大。我們知道,四核的Exynos 4412並不會跑在1.5GHz,而是1.4GHz,因此四核處理器在達到雙核兩倍性能的同時,功耗卻只有雙核的八成。換句話說,四核處理器在實現雙核同樣性能的時候,大約只需要區區40%的電力,這意味著續航和發熱都可能會大大改善。雖然四核的絕對性能對我們而言實際上沒有什麼太大的意義,但是32nm HKMG帶來的功耗降低是非常顯著的,即便不為了性能,也有足夠的理由去選擇。
32nm工藝帶來的低功耗,同樣也轉化到了GPU上,我們知道MX的GPU運行頻率大約是233MHz,因此在Exynos 4412上,如果保持同樣的GPU功耗,頻率可以設定到大約400MHz,從而實現170%的性能。我們也看到了Exynos 4412的一些跑分成績,的確和Exynos 4210相比有著幾乎兩倍的表現,而這就是源於GPU頻率設定到超過400MHz。
一句話總結一下,四核的Exynos 4412處理器和雙核Exynos 4210相比,可以做到同樣CPU性能下功耗降低60%,同樣功耗的情況下GPU性能提升80%。
與前代的區別
總體而言,四核版的Exynos 4412可以看作是雙核版Exynos 4210的工藝進化版,或者可以看作是完美形態的Cortex A9處理器。可以預計的是,配備Exynos 4412的手機,很可能功耗反而比Exynos 4210低,續航也更長,發熱也更小——因此還是那句話,即便你不需要四核的性能,也應該選擇它,因為Exynos 4412不僅僅只有性能。
補充
再補充一下,在三星的視頻里,GPU的功耗有些低的不可思議,對比一下高通Snapdragon S4 “Krait”處理器的GPU功耗,可以看到後者的功耗高達1W(1000mW),達到了Exynos 4210的5倍之多,而性能反而稍稍比Exynos 4210差一點。如果這個數據是可比的,那么Mali400MP4的功耗性能比真的非常驚人。
再補充一下,我們知道Tegra3也是一個四核處理器,那么Exynos 4412和Tegra3到底有什麼區別,這裡也來簡單對比一下。
首先,Tegra3採用的是40nm Fast G工藝製造,功耗相對較大,雖然有伴核,但是那個只能在待機時使用,對於日常使用而言幫助不大。其次,Tegra3的記憶體僅為單通道LPDDR2 1066,而Exynos 4412則支持雙通道LPDDR2 1066,是Tegra3的兩倍。最後,Tegra3為了支持伴核,二級快取的速度只有正常的一半,這也會影響性能。 總體而言,Exynos 4412對於Tegra3的優勢是全面且明顯的,甚至連頻率都略勝一籌(100MHz),因此在現階段可查的產品中,毫無疑問是最強四核。雖然華為號稱海思K3V2處理器是全球最快,但是華為並沒有公布可以參考的數據,因此暫時不做對比。
提一個小插曲,前幾天高通在北京發布Snapdragon S4平台的時候曾經提到一個很有趣的小故事,那就是Tegra3隻要四個核心滿載十多秒,核心溫度就會突破90度大關,從而引發自動降頻,因此可以說如果沒有主動散熱措施,Tegra3永遠都不可能跑到標稱的性能,這就是40nm工藝帶來的惡果。