EPSP IPSP(Excitatory / Inhibitory postsynaptic potential)(興奮性突觸後電位/抑制性突觸後電位)，形成是興奮性遞質，使某些離子通道開放，後膜對Na+和K+的通透性增大，且鈉離子內流大於鉀離子外流，故發生淨內向電流。EPSP持續10ms左右，能總和。EPSP由Na+與K+通過統一通道同時移動形成，形成EPSP的粒子流可能還包括Cl-的內流。當EPSP達到閾電位水平時則爆發峰電位。
基本介紹
- 中文名：EPSP/IPSP
- 外文名：Excitatory postsynaptic potential / Inhibitory postsynaptic potential
- 作用於：突觸後膜的相應受體
- 導致：後膜出現局部去極化
EPSP IPSP(Inhibitory postsynaptic potential)(興奮性突觸後電位/抑制性突觸後電位)
EPSP的形成是興奮性遞質，使某些離子通道開放，後膜對Na+和K+的通透性增大，且鈉離子內流大於鉀離子外流，故發生淨內向電流，。EPSP持續10ms左右，能總和。EPSP由Na+與K+通過統一通道同時移動形成，形成EPSP的粒子流可能還包括Cl-的內流。當EPSP達到閾電位水平時則爆發峰電位。
在抑制性遞質作用下，後膜產生超極化電位，成為抑制性突觸後電位(IPSP)。IPSP持續約10ms，能總和。由於抑制性遞質突觸後膜對Cl-、K+通透性增加，致使Cl-內流和(或)K+外流而產生IPSP。
突觸後神經元的EPSP和IPSP可在始段相互作用而決定該神經元的活動狀態。
