EKV是國家飛彈防禦系統的一部分，計畫1998年和1999年二家公司進行一次感測器試飛和二次攔截器試驗。感測器試飛需要EKV的尋的器，內裝焦平面陣列和處理器，並且射向包含模擬再入飛行體、誘鉺氣球、非核再入飛行體的目標群。目標由凡登堡空軍基地發射，幾分鐘後由垮賈林島傳送尋的器。尋的器發射後，對目標進行成像，並儘量跟蹤目標。地面雷達和光學跟蹤器將跟隨尋的器和交會期間的目標群。感測器試飛總體上是要觀察尋的器性能，收集目標特徵數據。然後在地面站運用EKV目標鑑別處理算式進行非實時處理，以確定它們區分再入飛行體的能力。
基本介紹
- 中文名：外大氣層截殺載具
- 外文名：EKV
- 重：45～55磅
- 工作溫度：70K
全稱,四種方案,EKV研製重點,
全稱
全稱：外大氣層截殺載具
大氣層外殺傷飛行體(EKV)
四種方案
目前美國BMDO正在檢查四種殺傷飛行體(KV)方案，即
(1)LEAP的KV，由BMDO投資的優先發展項目，它重45～55磅；
(2)THAAD的KV，由陸軍/BMDO投資，重130磅，這意味著飛出速度較低；
(3)大氣層攔截器技術(AIT)的KV，由陸軍/BMDO投資，還沒有做飛行試驗；
(4)EKV，由陸軍/BMDO投資，為國家級飛彈防禦系統而研製，重約100磅，也沒有進行飛行試驗。
EKV研製重點
目前，EKV計畫的重點是研製紅外尋的器和識別軟體。波音北美公司採用工作溫度13K的矽摻砷紅外尋的器。該公司在發展尋的器中面臨兩個問題，首先，尋的器要在高噪聲背景中工作，過去雖有使用矽摻砷尋的器的經驗，但限於低噪聲監視套用；其次，發展快速製冷和能保溫的製冷器。大多數尋的器在地面就開始製冷，需要製冷約1.5min，而EKV飛行速度達到>7km/s，有時高達10km/s。一旦達到製冷溫度，飛行器還需要保持製冷溫度約2min時間。波音公司採用二級J-T製冷器。最初在製冷器內外室都用氮製冷，而後用氫充入製冷器內室，允許在真空中膨脹，這樣讓氫固化，形成“冰菱體”，然後升華，使尋的器保持恆定的低溫。波音的EKV共有前、中、後三個艙，前艙裝尋的器、數據處理器、飛行體動力分配系統和慣性測量單元(IMV)。早期的EKV也採用可見光感測器，作為星跟蹤器，目前採用GPS接收機執行IMV，以消除助推段的定位誤差。波音的EKV曾經過多次地面試驗，其中包括尋的器樣機試驗，飛行級試驗。
休斯飛彈系統公司的EKV採用三反射鏡消像散望遠鏡系統，把圖像聚焦在光具座裝置上，而該裝置由二個分束器和三個256×256元紅外焦平面陣列組成，每個焦平面陣列都有獨立的信號通道，但三個通道都傳送到單個數據處理器內。
據稱，當光進入第一分束器時，一部分光被反射到Si-CCD焦平面陣列上，而另一部分被通過；而後通過第二個分束器，又把一部分能量被反射到HgCdTe焦平面陣列上，而其餘的能量繼續通過，最終落在第二個HgCdTe焦平面陣列上。每部分被反射的光波長都要比相繼通過該系統的要短。此系統的優點有三，一是用三個獨立的探測器對目標成像，但每個探測器在同一時間在不同波段內探測目標，克服了數據相關問題。二是當一個或二個焦平面陣列發生故障時，還可以繼續完成任務。三是工作溫度高。光學部分不致冷，HgCdTe陣列的工作溫度約在70K。休斯的EKV可能採用IMV作為制導元件。依靠消光觸發系統執行各種任務，例如為攔截器的助推器打開閥門和點火觸發器。使用雷射二級管和光纖傳輸能量是一種抗電磁脈衝的好方法。尋的器窗一旦打開，電磁脈衝能通過主反射鏡進入飛行體，但離焦平面陣列很遠，而且電磁脈衝很弱，因此在要損傷焦平面陣列之前，已關閉了系統，一旦危險過去，就重新開始。
