《Cu-MgB2薄膜TESLA型射頻超導腔的製備及性能研究》是依託北京大學，由謝大弢擔任項目負責人的面上項目。
基本介紹
- 中文名：Cu-MgB2薄膜TESLA型射頻超導腔的製備及性能研究
- 依託單位：北京大學
- 項目負責人：謝大弢
- 項目類別：面上項目
- 批准號：10875008
- 申請代碼：A2801
- 負責人職稱：副教授
- 研究期限：2009-01-01 至 2011-12-31
- 支持經費：48（萬元）
項目摘要
射頻超導腔是射頻加速器的核心，它在國際上的諸多領域如直線對撞機，能量回收加速器，X-射線自由電子雷射上有重要的套用。目前，國際上套用的1.3GHz超導腔由純鈮製造，在液氦的超流溫度1.8K下運行，製造和運行成本非常非常昂貴。一個9-cell的純鈮超導腔要達到約200萬人民幣的造價，而且要在1.8K的條件下運行，運行條件非常苛刻。MgB2作為一種新的超導材料有很好的超導特性，其Tc達到了39K，臨界磁場強度也比鈮的高出三個量級.用銅腔內部製備MgB2薄膜技術製造的複合超導腔將有非常多的優勢：它可以在製造成本上降低到鈮腔的1/100；運行條件可以在4.2K以上；而且可以提高目前受到限制的鈮腔最大加速梯度Eacc（鈮腔的極限為40MV/m，主要原因是超過了鈮的上臨界磁場強度；MgB2腔的理論極限可以達到77MV/m），是一種極有潛在套用和發展前途的高科技項目。
