基本介紹
- 中文名：CMOS-IC
- 結構：金屬-氧化物-半導體
- 屬於：電晶體
- 分類：P和N
CMOS積體電路的特佂,主要封裝形式,CMOS積體電路的性能特點,CMOS－IC的相關標準及規則,JEDEC最低工業標準,輸入/輸出信號規則,
CMOS積體電路的特佂
主要封裝形式
雙列直插（DIP封裝）
扁平封裝（PLCC封裝）
CMOS積體電路的性能特點
微功耗—CMOS電路的單門靜態功耗在毫微瓦（nw）數量級。
積體電路核心元
積體電路核心元高噪聲容限—CMOS電路的噪聲容限一般在40%電源電壓以上。
寬工作電壓範圍—CMOS電路的電源電壓一般為1.5~18伏。
高邏輯擺幅—CMOS電路輸出高、低電平的幅度達到全電為VDD，邏輯“0”為VSS。
高輸入阻抗--CMOS電路的輸入阻抗大於108Ω,一般可達1010Ω。
高扇出能力--CMOS電路的扇出能力大於50。
低輸入電容--CMOS電路的輸入電容一般不大於5PF。
寬工作溫度範圍—陶瓷封裝的CMOS電路工作溫度範圍為
- 55℃~ 125 ℃；塑封的CMOS電路為 – 40 ℃ ~ 85 ℃。
為什麼CMOS電路的直流功耗幾近於零？
CMOS－IC的相關標準及規則
JEDEC最低工業標準
JEDEC最低標準是電子工業協會（EIA）聯合電子器件工程委員會（JEDEC）主持下制定的CMOS積體電路的最大額定範圍和靜態參數的最低工業標準。下表即為JEDEC制定的CMOS積體電路的最大額定範圍：
電源電壓 VDD~VSS 18 ~ -0.5V(DC)
直流輸入電流IIN 士10 mA(DC)
輸入電壓 VI VSS ≤VI ≤ VDD+0.5V(DC)
器件功耗 PD 200 mw
工作溫度範圍 T -55~125(陶封)，-40~85（塑封) ℃
存儲溫度範圍 TSTG-65 ~ 150 ℃
輸入/輸出信號規則
所有的CMOS電路的輸入端不能浮置，最好使用一個上拉或下拉電阻，以保護器件不受損害。
在某些套用場合，輸入端要串入電阻，以限制流過保護二極體的電流不大於10mA。
輸入脈衝信號的上升和下降時間必須小於15us, 否則必須經施密特電路整形後方可輸入CMOS開關電路。
避免CMOS電路直接驅動雙極型電晶體，否則可能導致CMOS電路的功耗超過規範值。
CMOS緩衝器或大電流驅動器由於其本身的低輸出阻抗，必須注意這些電路採用大負載電容（≥500PF）時等效於輸出短路的情況。
CMOS電路的輸出不能並接成線邏輯狀態。因為導通的PMOS管和導通的NMOS管的低輸出阻抗會將電源短路。
