CMOS模擬IP線性積體電路

內容簡介

本書全面系統地介紹了CMOS模擬IP線性積體電路的結構、相關分析及設計技術。全書共12章，主要包括CMOS模擬電路中基本的元器件模型及套用；高穩定的電壓電流偏置結構，與溫度、電源和工藝無關的電壓帶隙基準與電流基準設計，基本的組合增益與差分增益電路結構，以及針對實際套用需要的高速高增益、大驅動、寬動態與線性範圍的集成運放電路設計；重點對多級閉環運放的頻率回響與系統穩定性進行了深入系統的分析，總結出實現系統穩定與高速回響的各類頻率補償方法，研究了電路的本徵噪聲特性、電路結構與電源噪聲有關的PSRR特性；最後，針對低壓寬擺幅信號處理的套用，完成了一類軌至軌模擬運放的IP電路分析與設計。

本書是在結合作者多年模擬電路教學和實際工程開發經驗的基礎上編寫而成的，經過多年微電子專業本科生、碩士研究生相關專業課程的教學實踐，以及相關IC設計公司內部技術培訓等交流，內容不斷得到充實和提煉，受到讀者的廣泛關注。本書十分注重對電路物理本質的深入理解，將經典理論與實際套用相結合。在消化吸收近年來國內外模擬線性積體電路最新研究成果的基礎上，深入系統地分析了各種電路的基本工作原理，探討了各種電路結構的內在關聯和演化關係。其中部分電路均經過實際產品電路的設計驗證，線上性模擬電路的結構選取、參數設計以及實際套用等方面，均能為讀者提供有效的指導和設計參考。

作者簡介

吳金，微電子專業博士，東南大學教授，碩士研究生導師，東南大學無錫分校副校長。長期從事半導體器件、電路與系統方面的教學和研究工作，參加並主持多項國家級科項項目，在國內外核心刊物上發表學術論文50餘篇，指導碩士研究生20餘人。主要研究方向為電源管理、音頻功率放大和數模轉換晶片系統的分析、設計與套用。

電阻（Resistance，通常用“R”表示），在物理學中表示導體對電流阻礙作用的大小。導體的電阻越大，表示導體對電流的阻礙作用越大。不同的導體，電阻一般不同，電阻是導體本身的一種特性。電阻將會導致電子流通量的變化，電阻越小，電子流通量越大，反之亦然。

電容（Capacitance）亦稱作“電容量”，是指在給定電位差下的電荷儲藏量，記為C，國際單位是法拉（F）。一般來說，電荷在電場中會受力而移動，當導體之間有了介質，則阻礙了電荷移動而使得電荷累積在導體上，造成電荷的累積儲存，儲存的電荷量則稱為電容。因電容是電子設備中大量使用的電子元件之一，所以廣泛套用於隔直、耦合、旁路、濾波、調諧迴路、能量轉換、控制電路等方面。

電感（inductance of an ideal inductor）是閉合迴路的一種屬性。當線圈通過電流後，線上圈中形成磁場感應，感應磁場又會產生感應電流來抵制通過線圈中的電流。這種電流與線圈的相互作用關係稱為電的感抗，也就是電感，單位是“亨利（H）”。

第3章電壓電流偏置

第4章電壓與電流基準

第5章線性放大電路

第6章運算放大電路

CMOS模擬IP線性積體電路

基本介紹

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