《CMOS技術中的閂鎖效應 : 問題及其解決方法》是1996年科學出版社出版的圖書，作者是R.R.特勞特曼。
基本介紹
- 中文名：CMOS技術中的閂鎖效應 : 問題及其解決方法
- 作者：R.R.特勞特曼
- 出版社：科學出版社
- 出版時間：1996年4月
- ISBN：7030048571
內容簡介,圖書目錄,
內容簡介
CMOS技術已成為微電子技術中的主導技術，而閂鎖效應一直是影響CMOS器件可靠性的嚴重問題。本書是第一本有關閂鎖問題的專著。全書可分為三部分。內容包括閂鎖問題結構上的起因、各種觸發方式及其分類；PNPN結構的集總元件模型、閂鎖判據、安全工作區、傳輸線模型，以及閂鎖特性的測量和如何防止閂鎖的發生等。
本書側重介紹閂鎖的起因、物理機制和模型，以及避免閂鎖的保護措施，因而具有較強的實用性。本書既可作為從事微電子學研究、設計的科技人員參考，也可作為大專院校電子工程、半導體專業師生的參考書。
圖書目錄
序言：本書的寫作緣由
致謝
第一章 引言
1.1 CMOS：崛起的VLSI工藝
1.2 閂鎖的預防：歷史的分析
1.3 VLSI CMOS中的閂鎖：一個需要繼續關心的問題
第二章 閂鎖的概述
2.1 結構上的起因和集總元件模型
2.2 舉例——懸空N阱結構中的閂鎖問題
第三章 閂鎖問題的描述
3.1 阻塞態和閂鎖態
3.2 閂鎖產生的必要條件
3.3 觸發方式
3.3.1 輸出節點的上沖/下沖
3.3.2 輸入節點的上沖/下沖
3.3.3 N阱結的雪崩擊穿
3.3.4 從N阱到外部N型擴散區的穿通
3.3.5 從襯底到內部P型擴散區的穿通
3.3.6 寄生場區器件
3.3.7 光電流
3.3.8 源-漏結雪崩擊穿
3.3.9 位移電流
3.4 觸發方式分類
3.4.1 第一類：第一個雙極型電晶體的外部觸發
3.4.2 第二類：兩個雙極型電晶體的正常旁路電流觸發
3.4.3 第三類：兩個雙極型電晶體的退化旁路電流觸發
3.4.4 閂鎖順序和分類總結
第四章 閂鎖模型及分析
4.1 早期的閂鎖模型
4.1.1 鉤形集電極電晶體
4.1.2 半導體可控整流器
4.2 PNPN集總元件模型的發展
4.2.1 電阻元件
4.2.2 寄生雙極型的行為
4.2.3 早期的閂鎖判據
4.3 閂鎖的物理分析——一個新方向
4.3.1 半導體的電流關係式
4.3.2 靜態閂鎖的判據：一個不正確的選擇
4.3.3 微分閂鎖判據：穩定性問題
4.3.4 大注入效應
4.4 安全區——阻塞態的嚴格定義
4.4.1 對稱PNPN結構
4.4.2 N阱懸空的三極體
4.4.3 襯底懸空的三極體
4.4.4 普通四極管
4.5 飽和區模型——一個新觀點
4.5.1 電流方程
4.5.2 微分電阻
4.5.3 保持電流
4.5.4 保持電壓
4.6 閂鎖的圖解說明——觸發類型2
4.6.1 樣品分析
4.6.2 安全區圖和開關轉換電流
4.7 集總元件模型的修正——一個有用的前景
4.7.1 閂鎖的傳輸線模型
4.7.2 傳輸電阻
4.8 動態閂鎖效應
4.8.1 閂鎖與時間關係的來源
4.9 模型和分析綜述
第五章 閂鎖特性的測量
5.1 測量儀器
5.1.1 曲線示蹤儀
5.1.2 參數分析儀
5.2 兩端特性的測量
5.2.1 電源過壓應力
5.2.2 電源過流應力
5.3 三端和四端特性的測量
5.3.1 發射極或基極端外加電壓激發
5.3.2 旁路電阻端的電流源激發
5.3.3 發射極端的電流源激發
5.4 開關轉換點特性的測量
5.5 保持點特性的測量
5.6 動態觸發
5.7 溫度關係
5.8 非電探針測量
5.9 閂鎖特性測量的總結
第六章 閂鎖的防止
6.1 版圖設計布局規則
6.1.1 保護結構
6.1.2 多條阱接觸
6.1.3 襯底接觸環
6.1.4 緊鄰源極接觸
6.2 破壞雙極特性的工藝技術
6.2.1 減小壽命
6.2.2 基區的減速場
6.2.3 肖特基勢壘源-漏極
6.3 雙極型去耦工藝技術
6.3.1 外延CMOS
6.3.2 較低薄層電阻的退化阱
6.3.3 襯底和阱的偏置
6.3.4 深槽隔離技術
6.4 CMOS的設計考慮
6.5 無閂鎖的設計
6.5.1 縱向寄生管去耦（DVP）
6.5.2 橫向寄生管的去耦（DLP）
第七章 總結
7.1 問題的描述
7.2 模型和分析
7.3 特性的測量
7.4 避免閂鎖發生
附錄A PNPN器件的電流-電壓特性測量的穩定性研究
附錄B 閂鎖測量可能存在的問題
符號說明
參考文獻
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