CL1100

CL1100是一款性能優異的原邊反饋控制器,它集成了多種保護功能。CL1100最大限度地減少了系統元件數目並採用 SOT23-6封裝,這些使得CL1100較好地套用於低成本的設計中。CL1100具有低電流啟動功能、電流採樣LEB和內部斜率補償。同時,CL1100具有過壓保護功能,以防止電路在異常情況下被損壞。

基本介紹

  • 外文名:CL1100
  • 類別:原邊反饋控制器
  • 啟動電流:5μA
  • 套用:手機/無繩電話充電器
特性,套用範圍,封裝耗散等級,最大額定值,管腳描述,使用說明,

特性

◆ 5%以內的恆壓精度, 5%以內的恆流精度。
◆ 原邊反饋省去TL431和光耦以降低成本。
◆ 低啟動電流:5μA(典型值)
◆ 低工作電流:2mA(典型值)
◆ 可調輸出恆定電壓、恆定電流及功率
◆ 峰值電流模控制
◆ 補償變壓器電感容差
◆ 補償電纜壓降
◆ 內置頻率抖動技術改善EMI
◆ 內置軟啟動功能
◆ 內置前沿消隱電路(LEB)
◆ 逐周期電流限制
◆ 欠壓保護(UVLO)
◆ VDD OVP保護功能
◆ VDD電壓鉗位功能

套用範圍

20W低功率的AC/DC離線開關電源套用於:
◆ 手機/無繩電話充電器
◆ 數位相機充電器
◆ 小功率電源適配器
◆ 電腦/電視輔助電源
◆ 替代線性電源
CL1100採用SOT23-6封裝。
CL1100

封裝耗散等級

封裝
RθJA (℃/W)
SOT23-6
200

最大額定值

參數
範圍
電源電壓
-0.3 到 VDD電壓鉗位
齊納電壓鉗位連續電流
10 mA
COMP腳電壓
-0.3到7V
CS腳電壓
-0.3到7V
FB腳電壓
-0.3到7V
最小/最大工作溫度Tamb -
-40到125 ℃
最小/最大存儲溫度Tstg
-55到150 ℃
焊接溫度(焊錫, 10秒 )
260 ℃
注釋: 超出“絕對最大額定值”可能損毀器件。推薦工作範圍內器件可以工作,但不保證其特性。.
長時間運行在絕對最大額定條件下可能會影響器件的可靠性。

管腳描述

管腳號
管腳名
I/O
描述
1
GND
P
接地端
2
GD
O
外置功率MOSFET驅動端
3
CS
l
變壓器原邊電流採樣端
4
FB
l
輸出電壓反饋輸入端
5
COMP
I
誤差放大器的輸出端,用於環路補償
6
VDD
P
電源

使用說明

CL1100是一款高集成度的原邊反饋PWM控制晶片,其可有效提高低功率反激變換器的性能。原
邊反饋拓撲結構可簡化控制器電路設計,特別在電池充電器套用中。由於CL1100採用原邊採樣和校
準,因此不需要TL431和光耦合器。在無二次反饋電路下,準確地實現恆壓和恆流控制。CL1100具
有頻率抖動功能,其可提高系統的EMI性能。結果,相比與常規充電器設計或線性變壓器,採用CL1100
的充電器具有更輕的質量、更小的體積和更低的成本。
●欠壓保護
CL1100採用一個欠壓保護比較器實現檢測VDD腳位的電壓。以保證供應電源足夠運行CL1100
PWM控制器和驅動功率MOSFET。欠壓保護為了在啟動時電源電壓出現驟降的情況下保護晶片,開
啟和關閉閾值分別為14.8V和9V。
●軟啟動
CL1100採用了內部軟啟動以儘量減少在電源啟動時的部分電氣過應力。軟啟動的時長設定為
17ms。當VDD電壓達到UVLO欠壓保護時,控制算法將使峰值電壓閾值逐漸從幾乎為零的值上升到
正常設定的0.90V。而且每次重新啟動都有一個軟啟動過程。
●恆壓/恆流工作
CL1100設計可以對恆流/恆壓進行更好的控制,控制特性如圖1所示,電池充電器套用中通常具
有兩種運作模式,恆壓充電和恆流充電。當電池電壓過低時,充電器是恆流充電,這是對電池充電的
最主要的方式,大部分的能量進入電池。當電池電壓達到電池飽和電壓時,充電電流逐漸變小,充電
器進入恆壓模式。最後,充電電流繼續減小直到達到0。
●輸出電壓設定
通過電阻對Ra和Rb的分壓,CL1100的FB腳位可檢測輔助繞組反激信號。FB電壓與參考電壓間
的差值通過誤差放大器放大來控制開關信號的占空比。
輸出電壓可由下式得出。為了提高輸出電壓的精確度,變壓器的漏感應儘可能的降低。
●電感校正電路
在初級勵磁電感過高或過低時,CL1100將通過調節振盪器頻率自動對此進行補償。由於這個控
制器用於在非連續導通模式下工作,因此輸出功率與設定初級電感直接成正比,並可通過調節開關頻
率對其容差進行完全補償。
●頻率抖動改善EMI
CL1100具有頻率抖動功能(調節開關頻率),採用CL1100晶片的設計可實現系統的EMI性能與
成本間的最佳化。抖動頻率在±3.6KHz,其於50KHz開關頻率混合。
●電流檢測和前沿消隱
CL1100提供了逐周期電流限制,CS引腳的採樣電阻對開關電流進行偵測。在功率開關導通時,
採樣電阻上會出現開啟尖峰。為避免由開啟尖峰所引起的誤操作,採用在功率開關導通後禁止CS引
腳採樣信號625ns來實現。在禁止期間電流採樣比較器輸出被置位,晶片驅動端不會關閉。
●柵極驅動器
CL1100的GATE腳位用於驅動外部功率MOSFET管。GATE驅動端採用內置的圖騰柱柵極設計。
軟碟機動設計可有效降低晶片的熱損耗、提高了效率和增加了可靠性。驅動輸出端被內置齊納二極體鉗
位在15V,以避免功率MOSFET管柵端出現過壓信號而損壞。
●輸出線壓降補償
常規晶片在恆壓模式下,通過改變MOSFET管導通時間來調節在片反饋電壓,其不包括在電線上
的壓降。這樣導致了由於採用不同規格不同長度的電線,會產生不同的輸出電壓。CL1100具有線損
補償功能,可補償輸出電壓在電線上的壓降。通過內置電流流入電阻分壓器在FB腳位產生補償電壓。
隨著轉換器負載從空載增大至峰值功率點(恆壓與恆流之間的切換點),將通過增大反饋引腳參考電
壓對輸出電纜上的壓降進行補償。控制器根據狀態調節器的輸出來決定輸出負載以及相應補償的程
度。
●控制保護
良好的電源供應系統的可靠性是由其豐富的保護功能實現的。包括逐周期電流限制(OCP),VDD
電壓鉗位功能,軟啟動電源和欠壓保護等特性。 電源輸出由變壓器輔助繞組提供. 當電源電壓低於
UVLO(ON)時CL1100的輸出自動關閉,而電源轉換器輸入,電源啟動。
封裝說明
SOT23-6

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