《CD4+T記憶細胞在哮喘慢性炎症維持中的作用及機制研究》是依託復旦大學，由陳智鴻擔任項目負責人的面上項目。
基本介紹
- 中文名：CD4+T記憶細胞在哮喘慢性炎症維持中的作用及機制研究
- 依託單位：復旦大學
- 項目類別：面上項目
- 項目負責人：陳智鴻
項目摘要,結題摘要,
項目摘要
已知人類和動物哮喘中存在記憶性T細胞（Tm）。中樞性記憶T細胞（Tcm）分布於外周血，肺特異性記憶T細胞（Trm）位於氣道。我們前期研究表明，哮喘病人外周血CD4+T記憶細胞比例遠高於正常人，且細胞內信號轉導、轉錄激活子（STATs）的亞型間比值失衡，即STAT1/STAT6磷酸化比值較正常人降低。有趣的是,該失衡僅見於記憶性T細胞，而非初始細胞。沉默SOCS3(細胞因子信號抑制子3)可使比值趨於正常。因此，本研究以SOCS3-STATs軸為主線，深入探索Tcm（人血標本）和Trm（小鼠哮喘模型）的STAT1/STAT6磷酸化功能狀態，及其對Tm分化、增殖和凋亡、細胞因子釋放的影響。利用基因沉默法體外改造Tm並回輸至受鼠，觀察對Tcm，Trm構成池、表型、基因型的影響及其對小鼠氣道炎症的改善。力求闡釋CD4+T記憶細胞在哮喘慢性炎症維持中的重要作用，為開發哮喘新型控制療法提供新思路
結題摘要
通過該項目支持，發現哮喘患者外周血單個核細胞（PBMC）的記憶T細胞比例升高，以中樞性記憶T細胞為主（而不是效應記憶T細胞）。它以分泌IL-5/IL-17為主，該細胞因子譜與慢阻肺及健康對照者明顯不同，說明通過記憶T細胞的細胞因子譜分型有利於鑑別哮喘和慢阻肺。IL-17+CD4+記憶T細胞水平與哮喘的疾病嚴重程度及用藥疾病具有相關性。髓系細胞（包括單核細胞，中性粒細胞和巨噬細胞）的SOCS3條件性敲除後，用OVA刺激，發現會增強氣道周圍炎症細胞浸潤及粘液分泌，SOCS3-/-DC與記憶T細胞（Tm）細胞共培養發現，可增強記憶T細胞的增殖能力及促進釋放IFN-r。因此我們認為雖然SOCS3基因敲除不利於減輕哮喘過敏性炎症，但該基因敲除鼠的建立可用於免疫炎症發病機制參與的肺部疾病研究（例如急性肺損傷，肺纖維化等）。SOCS3-/-DC過繼給OVA刺激的受鼠可明顯降低哮喘小鼠氣道炎性細胞的浸潤及粘液分泌，降低Eos和IgE的水平，該效應是通過影響了肺免疫細胞IL-10, TGF-b分泌及使細胞內信號轉導因子STAT4/STAT6的磷酸化水平受抑制而介導的。
