基本介紹 中文名：BTS442E2製作工藝：半導體集成處理信號：模擬 信號導電類型：雙極型規格尺寸：1（mm） 基本信息集成程度：小規模工作溫度：-40~85（℃）製作工藝：膜集成規格尺寸：1（mm）靜態功耗：1（mW）頻率特性:高頻結構:面接觸型材料:矽(Si)極性:PNP型功率特性:中功率
