ADR421為超精密、第二代外加離子注入場效應管(XFET)基準電壓源，具有低噪聲、高精度和出色的長期穩定特性，採用SOIC和MSOP封裝。
產品簡介,技術特性,套用領域,
產品簡介
ADR421: 超精密、低噪聲、2.500 V XFET®基準電壓源
利用溫度漂移曲率校正專利技術和XFET技術，可以使電壓隨溫度變化的非線性度降至最小。XFET架構能夠為帶隙基準電壓源提供出色的精度和熱滯性能。與嵌入式齊納二極體基準電壓源相比，還能以更低的功耗和更小的電源裕量工作。ADR421具有出色的噪聲性能、穩定性和精度，非常適合光纖網路和醫療設備等精密轉換套用。此外還可利用其調整引腳，在±0.5%範圍內調整輸出電壓，其它性能則不受影響。ADR421分為兩種電氣等級，額定溫度範圍為−40°C至+125°C擴展工業溫度範圍，提供8引腳SOIC封裝或8引腳MSOP封裝（後者比前者小30%）。
技術特性
低噪聲（0.1 Hz至10 Hz） ADR420: 1.75 μV峰峰值 ADR421: 1.75 μV 峰峰值 ADR423: 2.0 μV 峰峰
值 ADR425: 3.4 μV 峰峰值
低溫度係數：3 ppm/°C
長期穩定性：50 ppm/1000小時
負載調整率：70 ppm/mA
電壓調整率：35 ppm/V
低遲滯：40 ppm（典型值）
寬工作電壓範圍 ADR420: 4 V至18 V ADR421: 4.5 V 至18 V ADR423: 5 V 至 18 V ADR425: 7 V
至18 V
靜態電流：0.5 mA（最大值）
高輸出電流：10 mA
寬溫度範圍：−40°C至+125°C
套用領域
精密數據採集系統
高解析度轉換器
電池供電儀器儀表
攜帶型醫療儀器
工業過程控制系統
精密儀器
光纖網路控制電路
