4N35

4N35光耦合器，採用DIP技術封裝的元器件。

基本介紹

• 中文名：光耦合器
• 外文名：4N35
• 封裝類型：DIP
• 輸入電流：10mA
• 隔離電壓：300v
• 外寬：8.89mm

基本信息:

通道數:1

輸出電壓:30V

針腳數:6

器件標記:4N35

外部深度:6.4mm

外部長度/高度:3.55mm

封裝類型:DIP

工作溫度範圍:-55°C to +100°C

引腳節:2.54mm

批准機構:CSA

排距:8.2mm

內部圖

外觀圖

最大正向電流, If:60mA

正向電壓 Vf 最大:1.5V

電壓, Vceo:30V

電壓, Vf 典型值:1.3V

輸出電壓 最大:30V

擊穿電壓 最小:30V

電流傳遞率(CTR) 最小值:100%