4N35光耦合器,採用DIP技術封裝的元器件。
基本介紹
- 中文名:光耦合器
- 外文名:4N35
- 封裝類型:DIP
- 輸入電流:10mA
- 隔離電壓:300v
- 外寬:8.89mm
基本信息:
通道數:1
輸出電壓:30V
針腳數:6
器件標記:4N35
外部深度:6.4mm
外部長度/高度:3.55mm
封裝類型:DIP
工作溫度範圍:-55°C to +100°C
引腳節:2.54mm
批准機構:CSA
排距:8.2mm
內部圖
外觀圖
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
最大正向電流, If:60mA
正向電壓 Vf 最大:1.5V
電壓, Vceo:30V
電壓, Vf 典型值:1.3V
輸出電壓 最大:30V
擊穿電壓 最小:30V
電流傳遞率(CTR) 最小值:100%