32nm

32nm　CPU構架的一種，除了架構與以往不同，32nm的全新製程也是受到消費者們關注的另一大亮點。了解晶片行業的人知道，要想提高CPU的性能一方面是提高他的主頻，一方面是更改他的架構，再有一方面就是提高他的製作工藝了。製造工藝的改進理論上可以帶來功耗的降低，使得產品的默認時鐘頻率可以更高，直接提升性能。

和現有的45nm工藝相比，32nm工藝在以下幾個方面有著顯著的變化：32nm工藝使用第二代高-K金屬柵級、0.9nm等價氧化物厚度高-K（45nm技術是1nm）、金屬柵級工藝流程更新、30nm柵極長度、第四代應變矽、有史以來最緊密的柵極間距（第一代32nm技術將使112.5nm柵極間距）、有史以來最高的驅動電流、電晶體性能提升22%、同比封裝尺寸將是45nm工藝產品的70%。

相對於45nm工藝，NMOS電晶體的漏電量減少5倍多，PMOS電晶體的漏電量則減少10倍以上。由於上述改進，電路的尺寸和性能均可得到顯著最佳化。英特爾方面宣稱，第一批32nm處理器的功耗將和現有同檔次45nm處理器大致持平或稍低，但性能會大幅度提升。