魏同波

魏同波，男，中國科學院大學專職教師。

基本介紹

• 中文名：魏同波
• 畢業院校：中科院半導體研究所
• 學位/學歷：博士
• 職業：教師

人物經歷

2018-01~現在, 中科院半導體研究所, 研究員

2015-12~2016-12,康奈爾大學, 訪問學者

2011-01~2017-12,中科院半導體研究所, 副研究員

2007-07~2010-12,中科院半導體研究所, 助理研究員

2004-09~2007-06,中科院半導體研究所, 博士

2001-09~2004-06,中科院蘭州化學物理研究所, 碩士

1997-09~2001-06,山東師範大學, 學士

科研成果

專利成果

（ 1 ） 化合物半導體及其外延方法, 2019, 第 2 作者, 專利號: 201910468088.2

（ 2 ） 肖特基二極體及其製備方法、半導體功率器件, 2019, 第 2 作者, 專利號: 201910438467.7

（ 3 ） 基於類金字塔型雙波長結構的單晶片白光 LED 及其製備方法, 2019, 第 2 作者, 專利號: 201910106243.6

（ 4 ） 基於非輻射共振能量轉移機制的白光 LED 及其製備方法, 2019, 第 2 作者, 專利號: 201910106242.1

（ 5 ） 基於類金字塔型的顯指可調的單晶片白光 LED 及其製備方法, 2019, 第 2 作者, 專利號: 201910106244.0

（ 6 ） MSM 型多孔氧化鎵日盲探測器及其制 造方法, 2018, 第 1 作者, 專利號: 201811153822.8

（ 7 ） 顯指可調的無螢光粉單晶片白光LED器件, 2018, 第 1 作者, 專利號: 201810309597.6

（ 8 ） 基於Ga2O3 襯底的垂直結構紫外 LED 及其製備方法, 2018, 第 1 作者, 專利號: 201810370861.7

（ 9 ） 一種生長GaN厚膜的自剝離方法, 2014, 第 1 作者, 專利號: 201410043314.X

（ 10 ） 一種基於納米柱二極體壓電效應的應力感測器的製備方法, 2014, 第 1 作者, 專利號: 201410044167.8

（ 11 ） 製備半球形微納米透鏡陣列的方法, 2012, 第 1 作者, 專利號: 201210548704.3

（ 12 ） 一種在藍寶石襯底上生長非極性GaN厚膜的方法, 2012, 第 1 作者, 專利號: ZL.200810100953.X

發表論文

（1） (100)-Oriented gallium oxide substrate for metal organic vapor phase epitaxy for ultraviolet emission, CrystEngComm, 2020, 通訊作者

（2） Direct growth of nano-patterned graphene on sapphire and its application in light emitting diodes, Adv. Funct. Mater., 2020, 通訊作者

（3） Quasi van der Waals epitaxy nitride materials and devices on two dimension materials, Nano Energy, 2020, 通訊作者

（4） Rectification behavior of polarization effect induced type-II n-GaN/n-type β-Ga2O3 isotype heterojunction grown by metal organic vapor phase epitaxy, J. Appl. Phys., 2020, 通訊作者

（5） GaN/AlN quantum-disk nanorod 280 nm deep ultraviolet light emitting diodes by molecular beam epitaxy, Opt. Lett., 2020, 第 1 作者

（6） Quasi-two-dimensional Growth of AlN Film on Graphene for Boosting Deep Ultraviolet Light-emitting Diodes, Advanced Science, 2020, 通訊作者

（7） Freestanding GaN substrate enabled by dual-stack multilayer graphene via hydride vapor phase epitaxy, Appl. Surf. Sci., 2020, 通訊作者

（8） The optical properties of dual-wavelength InxGa1-xN/GaN nanorods for wide-spectrum light-emitting diodes, Journal of Electronic Packaging, 2020, 通訊作者

（9） Flexible graphene-assisted van der Waals epitaxy growth of crack-free AlN epilayer on SiC by lattice engineering, Appl. Surf. Sci., 2020, 通訊作者

（10） Graphene-Assisted Quasi-van der Waals Epitaxy of AlN Film on Nano-Patterned Sapphire Substrate for Ultraviolet Light Emitting Diodes, J. Vis. Exp., 2020, 通訊作者

（11） Improved epitaxy of AlN film for deep-ultraviolet light-emitting diodes enabled by graphene, Advanced Materials, 2019, 通訊作者

（12） High performance nanoporous-GaN metal-insulator-semiconductor ultraviolet photodetectors with a thermal oxidized -Ga2O3 layer, Opt. Lett., 2019, 通訊作者

（13） Graphene-assisted quasi-van der Waals epitaxy of AlN film for ultraviolet light emitting diodes on nano-patterned sapphire substrate, Appl. Phys. Lett., 2019, 通訊作者

（14） Phosphor-Free Three-Dimensional Hybrid White LED With High Color-Rendering Index, IEEE PHOTONICS JOURNAL, 2019, 通訊作者

（15） Epitaxy of III-Nitrides on β-Ga2O3 and Its Vertical Structure LEDs, Micromachines, 2019, 通訊作者

（16） Enhancement of Heat Dissipation for Ultraviolet Light-Emitting Diodes by a Vertically-Oriented Graphene Nanowalls Buffer Layer, Advanced Materials, 2019, 通訊作者

（17） On the polarization self-screening effect in multiple quantum wells for nitride-based near ultraviolet light-emitting diodes, Chin. Opt. Lett., 2019, 通訊作者

（18） Interplay between various active regions and the interband transition for AlGaN-based deep-ultraviolet light-emitting diodes to enable a reduced TM-polarized emission, J. Appl. Phys., 2019, 通訊作者

（19） Discrete energy states induced broadband emission from self-assembly InGaN quantum dots, Opt. Mater., 2019, 通訊作者

（20） High quality GaN epitaxial growth on beta-Ga2O3 substrate enabled by self-assembled SiO2 nanospheres, J. Crystal Growth, 2019, 通訊作者

（21） Fast Growth of Strain-free AlN on Graphene-buffered Sapphire, J. Am. Chem. Soc., 2018, 通訊作者

（22） High-quality semipolar (10(1)over-bar(3)over-bar) GaN grown on carbon nanotube-patterned sapphire by hydride vapor phase epitaxy, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2018, 通訊作者

（23） Investigation of pattern-orientation on stress in GaN grown on Si (111) substrate in lateral confinement epitaxy, SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES, 2018, 通訊作者

（24） Directly Grown Graphene as buffer layer to enable high brightness InGaN light emitting diodes, Advanced Materials, 2018, 通訊作者

（25） Direct van der Waals epitaxy of GaN-based light emitting diodes on wet-transferred multi-layer graphene film, Jnpanese Journal of Applied Physics, 2017, 通訊作者

（26） Ehnanced output power of light-emitting diodes with embedded ari-gap photonic crystals by nanosphere lithography, IEEE Photonics Journal, 2017, 通訊作者

（27） Versatile nanosphere lithography technique combining multiple-exposure nanosphere lens lithography and nanosphere template lithography, Chinese Optics Letters, 2017, 通訊作者

（28） Selective-area growth of periodic nanopyramid light-emitting diode arrays on GaN/sapphire templates patterned by multiple-exposure colloidal lithography, Nanotechnology, 2017, 通訊作者

（29） Cross-stacked carbon nanotubes assisted self-separation of free-standing GaN substrates by hydride vapor phase epitaxy, Scientific Reports, 2016, 第 1 作者

（30） Multiple –exposure colloidal lithography for enhancing light output of GaN-based light-emitting diodes by patterning Ni/Au electrodes, Optics Express, 2016, 通訊作者

（31） Tailoring of Energy Band in Electron-Blocking Structure Enhancing the Efficiency of AlGaN-Based Deep Ultraviolet Light-Emitting Diodes, IEEE Photonics Journal, 2016, 通訊作者

（32） Graphene-assisted growth of high quality AlN by metalorganic chemical vapor deposition, Japanese Journal of Applied Physics, 2016, 通訊作者

（33） Super-aligned carbon nanotubes patterned sapphire substrate to improve quantum efficiency of InGaN/GaN light-emitting diodes, Optics Express, 2015, 通訊作者

（34） Phosphor-free InGaN micro-pyramid white light emitting diodes with multilayer graphene electrode, RSC Adv., 2015, 通訊作者

（35） Efficiency improvement and droop behavior in nanospherical-lens lithographically patterned bottom and top photonic crystal InGaN/GaN light-emitting diodes, Opt. Lett. 39, 379 (2014), 2014, 第 1 作者

（36） Efficiency enhancement of homoepitaxial InGaN/GaN light-emitting diodes on free-standing GaN substrate with double embedded SiO2 photonic crystals, Opt. Express 22, A1093 (2014), 2014, 第 1 作者

（37） Nanospherical-lens lithographical Ag nanodisk arrays embedded in p-GaN for localized surface plasmon-enhanced blue light emitting diodes, AIP Advances 4, 067119 (2014), 2014, 第 1 作者

（38） Efficiency improvement by polarization-reversed electron blocking structure in GaN-based Light-emitting diodes, Opt. Express 22, A1001 (2014), 2014, 通訊作者

（39） Hydride vapor phase epitaxy of {10 3} semipolar GaN on m-plane sapphire coated with self-assembled SiO2 nanospheres, J. Crystal Growth 387, 101 (2014), 2014, 通訊作者

（40） Investigation of efficiency and droop behavior comparison for InGaN/GaN super wide-well light emitting diodes grown on different substrates, IEEE Photonics Journal, 6, 8200610 (2014), 2014, 第 1 作者

（41） Defects reduction in semipolar {10 3} GaN grown on m-sapphire via two-step nanoepitaxial lateral overgrowth, CrystEngComm, 16, 4562 (2014), 2014, 通訊作者

（42） Enhanced optical power of GaN-based light-emitting diode with compound photonic crystals by multiple-exposure nanosphere-lens lithography, Appl. Phys. Lett. 105, 013108 (2014) , 2014, 通訊作者

（43） Enhancing optical power of GaN-based light-emitting diodes by nanopatterning on indium tin oxide with tunable fill factor using multiple-exposure nanosphere-lens lithography, J. Appl. Phys. 116, 194301 (2014), 2014, 通訊作者

（44） Efficiency improvement of InGaN light emitting diodes with embedded self-assembled SiO2 nanosphere arrays, J. Crystal Growth 394, 7 (2014) , 2014, 通訊作者

（45） The improvement of GaN-based light-emitting diodes using nanopatterned sapphire substrate with small pattern spacing, AIP Advances 4, 027123 (2014), 2014, 通訊作者

（46） Large-scale SiO2 photonic crystal for high efficiency GaN LEDs by nanospherical-lens lithography, Chin. Phys. B 23, 028504 (2014), 2014, 通訊作者

（47） Fabrication and optical characteristics of phosphor-free InGaN nanopyramid white light emitting diodes by nanospherical-lens photolithography, J. Appl. Phys. 115, 123101 (2014), 2014, 通訊作者

（48） Enhancement of Light Output Power from LEDs Based on Monolayer Colloidal Crystal, Small, 10, 1668 (2014), 2014, 第 2 作者

（49） Phosphor-free nanopyramid white light-emitting diodes grown on {10 1} planes using nanospherical-lens photolithography, Appl. Phys. Lett. 103, 241107 (2013), 2013, 通訊作者

（50） Light extraction improvement of InGaN light-emitting diodes with large-area highly ordered ITO nanobowls photonic crystal via self-assembled nanosphere lithography, AIP Advances 3, 092124 (2013), 2013, 通訊作者

（51） Size-controllable nanopyramids photonic crystal selectively grown on p-GaN for enhanced lightextraction of light-emitting diodes, Opt. Express 21, 25373 (2013), 2013, 通訊作者

（52） Shape designing for light extraction enhancement bulk-GaN light-emitting diodes, J. Appl. Phys.113, 243104 (2013) , 2013, 通訊作者

（53） Modification of Carrier Distribution in Dual-Wavelength Light-Emitting Diodes by Specified Mg Doped Barrier, ECS Solid State Lett. 2, R37 (2013), 2013, 通訊作者

（54） Enhanced Light Emission of Light-Emitting Diodes with Silicon Oxide Nanobowls Photonic Crystal without Electrical Performance Damages, Jpn. J. Appl. Phys. 2013, 52: 040207, 2013, 通訊作者

（55） Improved hole distribution in InGaN/GaN dual-wavelength light-emitting diodes with Mg-doped quantum-wells, Phys. Status Solidi A, 2013, 210: 559, 2013, 第 2 作者

（56） Improvement of carrier distribution in dual wavelength light-emitting diodes, Journal of semiconductor , 2013, 34: 054008 , 2013, 第 2 作者

（57） Selectively grown photonic crystal structures for high efficiency InGaN emitting diodes using nanospherical-lens lithography, Applied Physics Letters, 2012, 101: 211111, 2012, 第 1 作者

（58） Improving light output of vertical-stand-type InGaN light emitting diodes grown on free-standing GaN substrate with self-assembled conical arrays, IEEE Electron Device Letter, 2012，33：857, 2012, 第 1 作者

（59） Hydride vapor phase epitaxy of strain-reduced GaN film on nano-island template produced using self-assembled CsCl nanospheres, Mater. Lett. 2012, 68: 327, 2012, 第 1 作者

（60） Light extraction enhancement of bulk GaN light emitting diode with hemisphere-cones-hybrid surface, Optics Express, 2012, 20:18537, 2012, 通訊作者

（61） Polarity dependent structure and optical properties of freestanding GaN layers grown by hydride vapor phase epitaxy, Mat. Sci. Semconi. Proc., 2012, 15: 15, 2012, 第 2 作者

（62） Enhancement in the light output power of GaN-based light-emitting diodes with nanotextured indium tin oxide layer using self-assembled cesium chloride nanospheres, Jpn. J. Appl. Phys. 2012, 51: 020204, 2012, 通訊作者

（63） Effect of the graded electron blocking layer on the emission properties of GaN-based green light-emitting diodes, Appl. Phys. Lett., 2012, 100: 053504, 2012, 第 3 作者

（64） Improving light extraction of InGaN-based light emitting diodes with a roughened p-GaN surface using CsCl nano-islands, Optics Express, 2011, 19:1065, 2011, 第 1 作者

（65） Defect-related emission characteristics nonpolar m-plane GaN revealed by selective etching, J. Crystal Growth, 2011, 314:141, 2011, 第 1 作者

（66） Efficiency droop in InGaN/GaN multiple-quantum-well blue light-emitting diodes grown free-standing GaN substrate, Appl. Phys. Lett., 2011, 99: 091104, 2011, 通訊作者

（67） MOCVD epitaxy of InAlN on different templates, Journal of Semiconductors, 2011, 32: 09300, 2011, 第 2 作者

（68） Hydride vapor phase epitxay growth of semipolar (10 ) GaN on patterned m-plane sapphire, Journal of The Electrochemical Society, 2010, 157: H721, 2010, 第 1 作者

（69） Catalytic activation of Mg-doped GaN by hydrogen desorption using different metal thin layers, Jpn. J. Appl. Phys. 2010, 49: 100201, 2010, 第 1 作者