高溫稠密電漿光譜線形的理論研究

《高溫稠密電漿光譜線形的理論研究》是依託中國人民解放軍國防科技大學，由袁建民擔任項目負責人的聯合基金項目。

基本介紹

• 中文名：高溫稠密電漿光譜線形的理論研究
• 項目類別：聯合基金項目
• 項目負責人：袁建民
• 依託單位：中國人民解放軍國防科技大學
• 批准號：10676039
• 申請代碼：A31
• 負責人職稱：教授
• 研究期限：2007-01-01 至 2009-12-31
• 支持經費：30（萬元）

中文摘要

熱稠密電漿環境對原子的能級結構和輻射躍遷過程有重要的影響。本項目主要研究熱稠密電漿中微場變化和電子碰撞引起的離子束縛能級分裂、展寬、能級移動、電離限下降和輻射躍遷強度的變化。在相對稀薄和較低溫度條件下，離子和自由電子引起的譜線位移和增寬分別用靜離子微場和碰撞近似處理，譜線總的變化是電子碰撞效應對離子微場的平均。在超稠密和較高溫度條件下（＞固體密度），由離子之間近程相互作用引起的束縛電子能級