《高溫水熱法合成Zn1-xCoxO稀磁半導體晶體》是依託河北大學，由董國義擔任項目負責人的面上項目。
基本介紹
- 中文名：高溫水熱法合成Zn1-xCoxO稀磁半導體晶體
- 項目類別：面上項目
- 項目負責人：董國義
- 依託單位：河北大學
- 批准號：50672020
- 申請代碼：E0207
- 負責人職稱：教授
- 研究期限：2007-01-01 至 2009-12-31
- 支持經費：30（萬元）
項目摘要
擬採用水熱法在高溫（400℃以上）合成Zn1-xCoxO稀磁半導體晶體。研究水熱反應溫度、壓力（填充度）、礦化劑種類、濃度、前驅物成分等對晶體形態、生長速度、晶體缺陷、雜質含量和均勻性的影響，尋找最佳的製備工藝條件。通過改變前驅物中Co化合物含量和採用摻雜劑緩釋技術獲得不同Co濃度均勻摻雜的Zn1-xCoxO晶體。研究施主離子共摻雜（Sn、Al、Ga、In等）對材料磁性和半導體性能的影響。尋找製備高居里溫度（超過300℃）稀磁半導體晶體的工藝條件。項目完成後，獲得直徑厘米級高質量單晶。另外還將對不同條件下獲得晶體的半導體性能、磁電、磁光、發光性能進行研究，探索磁性產生的機理和進行套用性嘗試。.本項目的創新之處在於採用水熱法合成高質量Zn1-xCoxO稀磁半導體單晶。所合成的晶體具有缺陷少，摻雜均勻等特點，能夠真實反映材料的磁光、磁電特性。
