《高導熱低膨脹梯度SiC/Al電子封裝材料》是依託北京工業大學，由鐘濤興擔任項目負責人的面上項目。
基本介紹
- 中文名：高導熱低膨脹梯度SiC/Al電子封裝材料
- 項目類別：面上項目
- 項目負責人：鐘濤興
- 依託單位：北京工業大學
- 負責人職稱：教授
- 批准號：69776030
- 研究期限：1998-01-01 至 2000-12-31
- 申請代碼：F0406
- 支持經費：11（萬元）
項目摘要
採用壓滲、無壓自滲、反應自生和熱等靜壓工藝製造了SiCp/Al、SiCp/Cu和梯度SiCp/Cu電封裝熱沉複合材料。它具有高導熱性和低膨脹係數的特點。材料的CTE值取決於SiC顆粒的尺寸和體積含量。理論上揭示了熱應力對CTE的影響，並以此理論，解釋了SiC顆粒尺寸對材料的CTE的影響，並用消除應力的措施有效的降低了複合材料的CTE。複合材料導熱率存在一個閥值問題，它涉及金屬基體有效導熱通道的面積。採用掃描熱探針（SThM）的熱傳導模式，改變電流使得針尖恆溫，以亞微米的空間解析度研究局域熱性能，從中獲得半定量或相對界面導熱率。SiCp/Cu不浸潤界面和SiCp/Al浸潤界面的平均寬度分別為400nm和200nm ;界面熱導率分別為60-80和105-110W/m-K範圍。
