《高密度高集成度毫米波瓦式相控天線T/R組件》是西南電子技術研究所(中國電子科技集團公司第十研究所)於2019.09.28申請的專利，該專利的公布號為：CN110739537B，專利公布日：2021.06.15，發明人是：羅鑫; 朱貴德; 楊國慶; 張先舉。
基本介紹
- 授權公告號：CN110739537B
- 授權公告日：2021.06.15
- 申請號：2019109291518
- 申請日：2019.09.28
- 專利權人：西南電子技術研究所(中國電子科技集團公司第十研究所)
- 地址：610036四川省成都市金牛區茶店子東街48號
- 發明人：羅鑫; 朱貴德; 楊國慶; 張先舉
- Int. Cl.：H01Q1/38(2006.01)I; H01Q1/50(2006.01)I; H01Q21/00(2006.01)I;
- 專利代理機構：成飛(集團)公司專利中心51121
- 代理人：郭純武
- 對比檔案：CN 106654541 A,2017.05.10; CN 105914476 A,2016.08.31; WO 2018/111386 A1,2018.06.21
基本信息,專利摘要,
基本信息
申請日 | 2019.09.28 |
專利權人 | 西南電子技術研究所(中國電子科技集團公司第十研究所) |
地址 | 610036四川省成都市金牛區茶店子東街48號 |
發明人 | 羅鑫; 朱貴德; 楊國慶; 張先舉 |
Int. Cl. | H01Q1/38(2006.01)I; H01Q1/50(2006.01)I; H01Q21/00(2006.01)I; H01Q21/06(2006.01)I; H01Q23/00(2006.01)I |
專利代理機構 | 成飛(集團)公司專利中心51121 |
代理人 | 郭純武 |
對比檔案 | CN 106654541 A,2017.05.10; CN 105914476 A,2016.08.31; WO 2018/111386 A1,2018.06.21 |
專利摘要
本發明公開的一種高密度高集成度毫米波瓦式相控陣天線T/R組件，旨在提供一種性能可靠，易集成，低剖面的T/R組件設計方案。本發明通過下述方案予以實現：射頻信號從T/R組件下腔底部公共端通過射頻同軸連線器直接饋入，直接過渡到T型結，單晶片集成功率預放大、功分網路、幅相控制、串並轉化、電源管理以及數字控制的功能，級聯對應通道數量的GaAs功率放大器晶片構成多通道2.5維異構可擴展子陣單元，低頻信號網路直接控制T/R組件的單晶片和GaAs功率放大器，實現多路信號的相位移相，幅度衰減，功率放大，經處理後的信號，通過共面波導到同軸轉換的垂直互聯結構送至T/R組件上端多層電路板的濾波功能層，濾波後的信號最後送至微帶貼片天線，發射射頻信號。
