高密度積體電路封裝技術國家工程實驗室於2009年2月,經國家發改委批准,江蘇長電科技股份公司、中科院微電子研究所、清華大學微電子所、深圳先進技術研究院、深南電路有限公司等五家單位共同組建了我國第一家“高密度積體電路封裝技術國家工程實驗室”。實驗室於2009年6月21日正式啟動。
基本介紹
- 中文名:高密度積體電路封裝技術國家工程實驗室
- 啟動時間:2009年6月21日
- 合作形式:產學研結合
- 目標:封裝核心技術和關鍵工藝取得突破
該國家工程實驗室將為我國先進電子封裝技術的產業化提供核心、共性技術支撐,提供企業所需要的產前核心技術、專利與人才培養,提高自主創新的核心競爭力,為我國封裝產業的發展和產業升級提供引領和帶動作用;實驗室的目標是在若干先進封裝核心技術和關鍵工藝方面取得突破,接近或達到世界先進水平。
實驗室採用產學研結合的合作形式,在運作過程中以企業為中心、以市場為導向,圍繞企業和市場需求發揮實驗室各組成單位的優勢:前瞻性的研究由先進院承擔,可靠性研究由清華大學承擔,基礎材料的研究工作由深南電路承擔,長電科技則承擔項目產業化研究工作。
針對行業發展趨勢和企業需求,實驗室全面展開開展焊球陣列封裝(BGA)、倒裝晶片封裝(FC),晶片尺寸封裝(CSP)、系統級封裝(SiP)等新型封裝技術的工程化研究,以及面向系統級封裝的納米複合電介質、磁介質和埋入式的電容、電感、電阻,以及納米改性的超薄封裝基板材料等的開發與套用。在埋容方面,在銅箔上成功沉積無裂紋、無剝落、結晶良好的高介電純無機薄膜。