高壓大電流IGBT晶片關鍵技術及套用,劉國友等人完成的技術發明。
基本介紹
- 中文名:高壓大電流IGBT晶片關鍵技術及套用
- 完成人:劉國友等
高壓大電流IGBT晶片關鍵技術及套用,劉國友等人完成的技術發明。
高壓大電流IGBT晶片關鍵技術及套用,劉國友等人完成的技術發明。主要完成人劉國友(株洲中車時代電氣股份有限公司)盛 況(浙江大學)羅海輝(株洲中車時代電氣股份有限公司)覃榮震(株洲中車時代電氣股份有限公司)黃建偉(株洲中...
因此本項目首先開展大容量IGBT模組電磁熱多場分析模型的建模研究,在此基礎上,探索大容量IGBT模組的布局演繹方法和電磁熱特性最佳化設計技術,目的是使大容量IGBT模組在額定運行時具有晶片低電壓應力,低損耗,熱均勻分布,從而提高IGBT模組的...
由上述方案可見,套用上述方法製作的IGBT散熱基板是在散熱金屬中埋有陶瓷散熱體,由於陶瓷散熱體具有良好的絕緣性能,加上填充有有機絕緣介質,可以大大提升IGBT散熱基板的散熱性能以及耐壓性能。一個優選的方案是,對金屬基板、陶瓷散熱體與...
魏曉光,國家科技部“高壓直流輸電技術與裝備創新團隊”核心成員、“高壓大功率電力電子器件”學術帶頭人。長期從事電力電子器件評估、直流電網及其核心裝備技術研究及工程示範,牽頭完成±800kV/1100kV特高壓直流換流閥、200kV/500kV高壓直流...
IGBT的開啟電壓約3~4V,和MOSFET相當。IGBT導通時的飽和壓降比MOSFET低而和GTR接近,飽和壓降隨柵極電壓的增加而降低。正式商用的高壓大電流IGBT器件至今尚未出現,其電壓和電流容量還很有限,遠遠不能滿足電力電子套用技術發展的需求,特別...
公司採用溝槽柵場截止型技術自主研發的IGBT晶片於2013年進入規模化量產,600V、1200V和1700V三個電壓段多電流等級的IGBT產品套用於電磁感應加熱、逆變焊機、工業變頻器、UPS、新能源等領域。研發團隊 副總經理:朱陽軍 中國科學院微電子研究...
2014-2017年,作為項目負責人主持完成國家科技重大專項“電力系統用國產高壓大功率IGBT晶片及模組的套用研發”和北京市科委項目重點項目,在國內率先開展針對電力系統套用的定製化高壓大功率電力電子器件研製,成功研製出3300V/1500A壓接型IGBT...