中科君芯

江蘇中科君芯科技有限公司坐落在江蘇省無錫市中國物聯網發展研究中心，是一家專業從事電子元器件研發生產的高科技企業。

基本介紹

• 中文名：中科君芯
• 公司全名：江蘇中科君芯科技有限公司
• 地址：無錫市中國物聯網發展研究中心
• 公司類型：從事電子元器件研發生產

企業產品

江蘇中科君芯科技有限公司是IGBT器件開發的本土企業，推出的IGBT晶片、單管和模組產品從600~6500V，基本囊括IGBT器件的主要電壓段、電流段，掌握穿通型(PT)、非穿通型(NPT)、場截止型(FS)等技術工藝。

在國家重大專項支援下，中科君芯研發成功1200V/15A、20A、25A、40A、100A IGBT系列產品及1700V/25A IGBT斬波模組，在感應加熱、光伏電站、逆變焊機、變頻器、UPS等領域得到套用。

公司採用溝槽柵場截止型技術自主研發的IGBT晶片於2013年進入規模化量產，600V、1200V和1700V三個電壓段多電流等級的IGBT產品套用於電磁感應加熱、逆變焊機、工業變頻器、UPS、新能源等領域。

研發團隊

副總經理：朱陽軍
中國科學院微電子研究所研究員、博士。

2007年7月獲得山東大學“微電子學與固體電子學”專業博士學位。現任中國科學院微電子研究所矽器件與集成技術研究室副主任，“IGBT”項目組和“測試及可靠性”項目組負責人，學術帶頭人，任中國物聯網研究發展中心電力電子器件研發實驗室主任。

主要從事IGBT/FRED等電力電子器件晶片研製及產業化研究工作，帶領團隊研製出6500V IGBT晶片，先後攻克600-6500V全電壓系列晶片關鍵技術，承擔多項國家重大科技專項、中科院重點方向項目等重要研究任務。

工藝集成監：王海軍

2002年7月畢業於南昌大學自動化專業，工學碩士。
擁有11年半導體功率器件研發經驗，10餘項半導體發明專利獲得國家專利局授權。

2007年~2010年負責主持開發BCD、射頻類LDMOS器件工藝平台並導入量產；2010年~2012年負責國內8寸線1200V-6500V IGBT、FRD 器件工藝平台建立；2012年~2013年負責國外IDM公司1200V FS IGBT產品工藝整合。
現負責公司600V-1700V FS IGBT、FRD產品開發及導入市場。

技術研發部負責人：盧爍今
中國科學院微電子研究所副研究員、博士，專業微電子學與固體電子學。
2008年5月至今，一直從事IGBT產品的開發工作。先後主持和參與設計開發了多款IGBT產品，電壓涵蓋600V-6500V各電壓檔，電流涵蓋15A-100A的範圍。

負責公司2500V-6500V FS IGBT、FRD產品開發及導入市場。

器件工程與評測部負責人：胡愛斌
中國科學院微電子研究所副研究員、工學博士。

主要從事IGBT的研發，具有多年的IGBT設計、仿真、測試和可靠性分析的經驗。

負責公司IGBT產品的仿真、版圖設計、產品測試和可靠性分析。

技術研發部副經理：田曉麗

中國科學院微電子研究所副研究員、博士，專業微電子學與固體電子學。

主要從事超高壓IGBT、FRD器件結構與工藝設計開發。發表SCI、EI收錄或核心國內外期刊論文6篇，相關發明或實用新型專利10餘項。

負責公司2500V-6500V FS IGBT、FRD產品開發及導入市場。