饒海波1968年生,教授、博士生導師。光電信息學院教師,2000年獲物理電子學博士學位,現從事光學工程、物理電子學相關領域的教學與科研工作。
長期從事於光電子領域內的研究工作,作為主要研究人員,參與並完成了十多項國家級重大科技攻關項目,例如:軍事電子預研"高亮度、高解析度YAG顯示管";"八五" 重大項目"2英寸YAG投影管"和"新型投影電視機原理樣機";"九五"重大項目"3英寸YAG投影管工業正樣"和"新型投影電視機工業正樣研製"等。其中"高亮度、高解析度YAG顯示管"96年獲電子部科技進步一等獎,98年獲國家技術發明二等獎。負責研製成功的紅、綠、藍三色2英寸外延單晶螢光屏性能指標處於世界領先水平,獲國家發明專利一項。
基本介紹
- 中文名:饒海波
- 國籍:中國
- 出生日期:1968年
- 職稱:教授
工作領域,研究及成果,
工作領域
長期從事光學工程、物理電子學領域內的科研與教學工作。
研究及成果
目前承擔有國家863新材料領域“半導體照明工程”重大課題子項目“功率型白光LED封裝關鍵技術-螢光粉塗層技術的研究”,致力於功率型白光LED封裝中螢光粉的平面塗層關鍵工藝,研發粉層成份一致、厚度和形狀可控的螢光粉平面塗層新技術。
1999年以前,作為主要研究人員參與完成了多項國家級重點科研項目,例如:軍事電子預研項目“高亮度、高解析度YAG顯示管”;國家“八·五”重大科技攻關項目“2英寸YAG投影管”;國家“八·五”重大科技攻關項目“新型投影電視機原理樣機”;國家“九·五”重大科技攻關項目“3英寸YAG投影管工業正樣”;國家“九·五”重大科技攻關項目“新型投影電視機工業正樣”。
其中,作為螢光屏分課題負責人研製成功的高亮度、高解析度YAG投影顯示管達到國際領先水平,並獲得國家發明專利(ZL96117603.2),“高亮度、高解析度單晶彩色投影顯示管”。
項目“高亮度、高解析度YAG顯示管”在1996年獲電子部科技進步一等獎,並於1998年榮獲國家技術發明二等獎,排名第五。
1999-2001年,承擔並完成了國防預研基金項目“二極體泵浦被動調Q微雷射器技術”和國防重點實驗室基金項目“二極體泵浦被動調Q高重頻固體微雷射器技術”。研製成功的外延Cr4+:YAG飽和吸收體的各項性能指標達到當前國際先進水平,相關成果得到了有關部門和專家的充分肯定與好評。
2002-2005年,承擔並完成四川省重點科技研究項目“二極體泵浦雷射器研究”,研製出基於外延工藝的單片式被動調Q微雷射器樣品,屬國內首創,達到國外同期的先進水平。
2003-2005年,承擔並完成國家“863”雷射技術創新基金項目“新波段(680-780nm)被動調Q飽和吸收單晶的研製”,完成了Cr5+:YAG飽和吸收體的液相外延生長。
2003-2006年,國家“十五”“211工程”子項目-“新型信息顯示技術”負責人, 完成了(對角線2英寸)30*38mm、 解析度達到128*160線、全彩色顯示PMOLED屏的研製工作,國內一流並與國際先進水平接軌。
2004-2006年,承擔浙江陽光集團橫向合作項目“OLED器件研究”子課題“ITO基板的研究”項目,成功開發出低溫、低阻、高透明OLED用200*200(mm)ITO透明導電玻璃基板。
2003.9-2004.3,美國Georgia Institute of Technology(GIT)的School of Material Science and Engineering(MSE)訪問進修,在“先進螢光粉研究中心”(Phosphor Technology Center of Excellence, PTCOE)從事II-VI族納米半導體顆粒及相關螢光粉的研究。 完成相關科研學術論文多篇,分別發表於Journal of Crystal Growth、光學學報、電子學報等期刊上,其中七篇為被SCI、EI所收錄。