飽和失真

飽和失真

飽和失真,指的是電晶體因Q點過高,出現的失真。當Q點過高時,雖然基極動態電流為不失真的正弦波,但是由於輸入信號正半周靠進峰值的某段時間內電晶體進入飽和區,導致集電極動態電流產生頂部失真,集電極電阻上的電壓波形隨之產生同樣的失真。由於輸出電壓與集電極電阻上的電壓變化相位相反,從而導致輸出波形產生底部失真。

基本介紹

  • 中文名:飽和失真
  • 外文名:Saturation distortion
電晶體有三個工作區:飽和區、截止區和線性區(放大區)。對於共發射極的基本放大電路,其輸入波形正好與輸出波形反相,就是相位相差180度,當輸入正弦波正的部分時,應該輸出負的部分,而當輸入的峰值較大的時候,超過了電路的動態範圍,就會出現失真。如果是輸入信號的正半周超出了動態範圍,那么就會進入電晶體的飽和區,造成飽和失真,對應的輸出信號由於相位差180度的原因,所以輸出信號的負半周的波形失真
總而言之,對於NPN單管共射放大電路,飽和失真就是輸入信號的正半波超過了三極體的放大能力,造成失真,對應的輸出波形就是輸出波形底部失真,即輸出時三極體進入飽和區,Q設定過高。解決飽和失真的辦法有:
1 增加VCC 由於三極體飽和的根本原因是集電結收集電子的能力不足,所以增加VCC能夠增強集電極收集電子的能力,但必須保證VCC在三極體的能承受範圍內,在RC和管子不變的情況下,能夠消除飽和失真。
2 增加基極電阻RB以減小基極電流,從而集電極電流IC=βIB,在集電極電阻RC和集電極電源VCC不變的情況下,由VCE=VCC-βIBRC得集電極電壓變大,從而使集電極收集電子能力增強,消除飽和失真。
3 減小集電極電阻,在電路中其他參數不變的情況下,減小集電極電阻RC就減小了在RC上的壓降由UCE=VCC-βIBRC知加在集電結的電壓增大,也增強了集電極收集電子的能力,從而消除飽和失真。
4 更換一隻β較小的管子.在其他參數不變的情況下,換一隻放大倍數較小的管子,由UCE=VCC-βIBRC知:在集電極電阻上的壓降減小,也即增大了加在集電結的電位,增強了集電結收集電子的能力,從而消除飽和失真。

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