飽和失真，指的是電晶體因Q點過高，出現的失真。當Q點過高時，雖然基極動態電流為不失真的正弦波，但是由於輸入信號正半周靠進峰值的某段時間內電晶體進入飽和區，導致集電極動態電流產生頂部失真，集電極電阻上的電壓波形隨之產生同樣的失真。由於輸出電壓與集電極電阻上的電壓變化相位相反，從而導致輸出波形產生底部失真。
基本介紹
- 中文名：飽和失真
- 外文名：Saturation distortion
電晶體有三個工作區：飽和區、截止區和線性區（放大區）。對於共發射極的基本放大電路，其輸入波形正好與輸出波形反相，就是相位相差180度，當輸入正弦波正的部分時，應該輸出負的部分，而當輸入的峰值較大的時候，超過了電路的動態範圍，就會出現失真。如果是輸入信號的正半周超出了動態範圍，那么就會進入電晶體的飽和區，造成飽和失真，對應的輸出信號由於相位差180度的原因，所以輸出信號的負半周的波形失真
總而言之，對於NPN單管共射放大電路，飽和失真就是輸入信號的正半波超過了三極體的放大能力，造成失真，對應的輸出波形就是輸出波形底部失真，即輸出時三極體進入飽和區，Q設定過高。解決飽和失真的辦法有：
1 增加VCC 由於三極體飽和的根本原因是集電結收集電子的能力不足，所以增加VCC能夠增強集電極收集電子的能力，但必須保證VCC在三極體的能承受範圍內，在RC和管子不變的情況下，能夠消除飽和失真。
2 增加基極電阻RB以減小基極電流，從而集電極電流IC=βIB，在集電極電阻RC和集電極電源VCC不變的情況下，由VCE=VCC-βIBRC得集電極電壓變大，從而使集電極收集電子能力增強，消除飽和失真。
3 減小集電極電阻，在電路中其他參數不變的情況下，減小集電極電阻RC就減小了在RC上的壓降由UCE=VCC-βIBRC知加在集電結的電壓增大，也增強了集電極收集電子的能力，從而消除飽和失真。
4 更換一隻β較小的管子.在其他參數不變的情況下，換一隻放大倍數較小的管子，由UCE=VCC-βIBRC知:在集電極電阻上的壓降減小，也即增大了加在集電結的電位，增強了集電結收集電子的能力，從而消除飽和失真。
