顧長志

顧長志，男，1964年6月生，1997年于吉林大學獲理學博士學位。1997-2001年在德國夫琅和費（Fraunhofer）研究所、柏林自由大學物理系從事合作研究。現任中國科學院物理研究所技術部主任、微加工實驗室主任、研究員、博士生導師。

基本介紹

• 中文名：顧長志
• 國籍：中國
• 出生日期：1964年6月生
• 畢業院校：吉林大學

研究方向

信息功能薄膜（寬頻隙與導電薄膜等）的製備、物性及亞微米/納米尺度的人工結構製作與器件物性研究。

獲得成果

在薄膜材料的製備、特性和套用方面的研究中作出了一些有影響的創新成果。將金屬酞青和卟啉LB膜沉積到場效應電晶體上，製備出高靈敏度和穩定性的氣體和濕度感測器；系統研究了影響金剛石薄膜熱導率特性的主要因素，製備出高導熱的金剛石膜，並實現了在大功率半導體器件上的套用。採用兩種新方法製備出SOD（silicon on diamond）材料，研製出SOD抗輻射、耐高溫積體電路；發現了氫離子轟擊金剛石核對晶粒取向和大面積均勻生長納米金剛石膜的作用。開展了薄膜材料的人工微結構與器件的研究工作。國內外刊物上發表論文100餘篇，獲發明專利7項，國家級鑑定驗收成果6項。1996年獲吉林省青年科技獎，2000年獲教育部“跨世紀人” 才稱號。2001年入選中科院百人計畫。

研究課題

研究項目有：國家“863”項目“高質量金剛石膜及電子學套用研究”（課題組長）、國家“973”項目“材料在納米尺度的原位測量”（主要參加者）和國家自然科學基金委員會創新研究群體科學基金“輕元素極限功能薄膜材料的外延生長與反生長微觀機理和原子尺度上的控制的研究”（參加者）和基金委面上基金等。主要從事寬頻隙薄膜的定向生長，電子學等特性研究，場發射、微/納電子與敏感器件研製等，及薄膜材料在亞微米/納米尺度人工結構與器件研究，在多功能信息薄膜材料與器件的國際前沿領域開展工作。