南京大學物理系教授，理學博士，博士生導師。
1998 年至 2000 年在美國 WISCONSIN 大學作訪問研究。目前主要從事寬頻隙半導體材料的生長與器件的研製。
基本介紹
- 中文名：顧書林
- 國籍：中國
- 民族：漢族
- 畢業院校：南京大學
南京大學物理系教授,部分代表作,
南京大學物理系教授
長期從事半導體異質結構材料與器件套用方面的研究工作，對元素半導體（鍺矽）和寬頻隙材料（ GaN ， ZnO 等）的外延生長技術與性質及器件的研製有深入的研究，取得了一系列有創新意義的研究成果。在材料生長技術方面，提出了鍺矽異質結構外延中氫抑制鍺分凝行為的技術，獲國家發明專利，發展了生長高性能鍺矽異質結構材料的技術與方法，揭示了 ZnO 緩衝層對 GaN 成核和生長作用的機理，提出並實現了 GaN 在藍寶石直接成核的技術，發現了生長條件及反應過程控制材料結構性質的內在機理，提出並實現了抑制材料中裂紋產生的方法與技術等。
共主持、具體負責和主要參加了國家自然科學基金，國家 "863" 計畫，國家 "973" 計畫，等十多項研究項目。先後在國內外學術刊物和國際學術會議上發表學術論文 40 多篇（第一作者），通過省部級以上成果鑑定 5 項，獲得國家專利 2 項，獲國家發明三等獎一項，教委科技進步二等獎一項，江蘇省科技進步三等獎一項。
部分代表作
Shulin Gu, Rong Zhang, Jingxi Sun, Ling Zhang, and T. F. Kuech
Role of interfacial compound formation associated with the use of ZnO buffers layers in the hydride vapor phase epitaxy of GaNAppl. Phys. Lett. , 2000 ， 76, 3454 SL Gu, R Zhang, L Zhang, and T. F. Kuech
The impact of initial growth and substrate nitridation on thick GaN growth on sapphire by hydride vapor phase epitaxy
J. Cryst. Growth , 231, 343(2001)
Hau JWP, Matthews MJ, Abusch-Magder D, Shulin Gu, T. F. Kuech
Spatial Variation of electrical properties in lateral epitaxial overgrown GaN
Applied Physics Letters , 79(6), 761(2001)
J.D. YE, S.L. GU, S.M. ZHU, et al.
The growth and annealing of single crystalline ZnO films by low-pressure MOCVD
Journal of Crystal Growth 243, 151-156 (2002)
J.D. YE, S.L. GU, S.M. ZHU, et al.
Raman and photoluminescence of ZnO films deposited on Si (111) using low-pressure metalorganic chemical vapor deposition
J. Vac. Sci. Technol. A 21(4), 979 (2003)
