顏世申，山東大學物理學院教授、博士生導師。國家傑出青年基金獲得者、山東省傑出青年基金獲得者、教育部新世紀優秀人才、德國洪堡學者、973課題負責人。2008年獲山東省自然科學一等獎，2010年被評為山東省有突出貢獻的中青年專家。兼任國家自然科學基金委數理學部專家評審組成員、中科院物理所磁學國家重點實驗室學術委員會委員、中國電子學會套用磁學分會委員。
基本介紹
- 中文名：顏世申
- 國籍：中國
- 職業：山東大學物理學院教授、博士生導師
- 主要成就：中國電子學會套用磁學分會委員
個人歷程,研究領域,研究項目,科研成果,科研經歷,榮譽稱號,
個人歷程
1997年5月—2000年2月，德國於利希研究中心，洪堡學者。（導師Peter Grünberg 教授，2007 年諾貝爾物理學獎獲得者）。
1993年6月—1996 年6月，山東大學物理系， 博士（導師梅良模教授）。
1990年6月—1993 年6月，山東大學物理系， 碩士（導師劉宜華教授）。
1986年9月—1990 年6月，山東大學物理系， 學士。
研究領域
顏世申的研究領域是自旋電子學，近幾年的主要研究方向是磁性半導體。研究工作的整體思路定位是以研製磁性半導體新材料為重點，以解決材料中的物理問題為關鍵，以材料在自旋電子器件中的套用為目標。圍繞自旋電子學領域的幾個重大問題，爭取到了國家973項目（課題之一）、國家重大科學研究計畫項目(課題之一)、自然科學基金項目和教育部新世紀優秀人才支持計畫項目的資助。研究成果已申請國家發明專利5項，獲得國家發明專利2項。 發表SCI論文50多篇，其中18篇發表在《Physical Review B》和《Applied Physics Letters》上。主要研究成果如下： ● 發明了利用亞穩相製備具有高過渡族金屬含量的磁性半導體（濃縮磁性半導體）的方法，首次成功在亞納米尺度製備了具有高過渡族金屬含量的Zn1-xCoxO、Ti1-xCoxO2、(In1-xFex)2O3等6種單一亞穩相氧化物磁性半導體，發現這些材料具有高磁化強度、高自旋極化率、大磁電阻和巨磁光效應等優良的物理特性，並證實Zn1-xCoxO、(In1-xFex)2O3等氧化物磁性半導體的鐵磁性起源於氧空位傳遞的鐵磁交換耦合。這些用新方法製備的磁性半導體，不同於常規的稀磁半導體，有望成為高效的自旋注入源或半透明的磁光材料。 ● 在我們大量實驗研究的基礎上，首次建立了自旋依賴的電子變程躍遷理論，不僅首次定量地描述了磁性半導體中的電阻隨溫度和磁場的變化，而且還提供了一個通過測量單層膜的磁電阻測量氧化物磁性半導體中輸運電荷的自旋極化率的簡便方法。這正是我們在自旋極化電子的輸運理論和實驗方法方面的創新。 ● 首次發現在Fe/Mn/Fe 單晶外延三層膜中，層間耦合隨著中介層Mn層厚度的增加表現出從鐵磁耦合逐漸過渡到反鐵磁耦合的現象（任意角度的層間耦合），並系統研究了Fe 單晶膜、 Fe/Mn/Fe 單晶三層膜、具有單軸磁各向異性軟磁/硬磁複合膜的磁化反轉機理。我們的研究為自旋電子器件中調控磁化反轉提供了有效的方法。
研究項目
（1）國家重大科學研究計畫項目，，高品質半導體磁性異質結構分子束外延生長和磁性研究，2007年-2011年，課題第二負責人（合作單位課題負責人），分擔經費390 萬元（項目總經費約2600 萬元），正在進行。 (2)國家自然科學面上基金項目, ，非勻質化合物磁性半導體的自旋極化和電子輸運，2006.1-2008.12，項目負責人，27萬元，正在進行。 (3)國家973項目,自旋電子注入的材料結構、過程和控制, 2002年4月—2006年10月，課題負責人，236 萬元，已完成。 (4)教育部新世紀人才支持計畫，,亞納米尺寸複合磁性半導體材料的製備、結構和性能；2005.1-2007.12，項目負責人，50 萬元，已完成。 (5) 山東大學人才基金項目,新型氧化物基磁性半導體研究, 2003.1-2005.12, 項目負責人，20 萬元, 已完成。
科研成果
（1）研製了具有獨立自主智慧財產權的ZnCoO等6種高含量過渡金屬元素的氧化物磁性半導體，發現這類新材料具有高居里點、高自旋極化率、巨磁光克爾效應等優良物理特性，有望成為高效的自旋注入源。
（2）提出了自旋相關的電子變程躍遷理論模型，定量解釋了磁性半導體的磁電阻起源，提供了測量自旋極化率的新方法。
（3）在金屬Fe/Mn/Fe三層膜中發現了任意角度的層間耦合。
（4）提出了外邊界磁化自由轉動的疇壁位移模型，解決了幾種磁性薄膜的磁化反轉機理。
獲授權國家發明專利4項，發表SCI 論文72篇，其中APL 11篇，PRB 11 篇，JAP 13篇。57篇論文總引用443次，他引338次。部分成果已被他人寫進了教科書和特邀綜述文章，並被許多研究組廣泛採用。
科研經歷
2002年10月—至今，教授，博導，山東大學物理學院。
設計和組建自旋電子學實驗室，新添了分子束外延系統、脈衝雷射沉積系統、
超導量子干涉磁強計、交流梯度磁強計、光致發光譜儀等大型儀器。
研究過渡金屬化合物磁性半導體和自旋電子注入半導體。
2000年2月—2002 年10 月，研究員，美國阿拉巴馬大學和美國國家高磁場實驗室。
研究軟磁/硬磁雙相複合的金屬磁性多層膜。
1997年5 月— 2000 年2 月，洪堡學者，德國於利希研究中心。
研究分子束外延金屬Fe/Mn/Fe 三層膜的層間耦合、磁疇結構；
研究分子束外延單晶金屬磁性薄膜的磁化反轉機理。
1996年6月-2000年2月，講師（1996），副教授（1998），山東大學物理系。
研究磁性金屬多層膜的結構、磁性、層間耦合、巨磁電阻。
榮譽稱號
2008年，山東省自然科學一等獎（磁性金屬和磁性半導體薄膜的自旋和輸運調控）。
1997-2000年，洪堡學者，德國於利希研究中心。
2005-2007年，入選教育部新世紀優秀人才計畫。
