韓根全，博士、陝西“百人計畫”科學家、西安電子科技大學博士生導師。2003 年於清華大學獲得學士學位，2008 年於中國科學院半導體研究所獲得博士學位，同年加入新加坡國立大學 Silicon Nano Device Laboratory (SNDL) 實驗室。2012年加入西安電子科技大學微電子學院郝躍院士團隊，2016年入選西安電子科技大學“百人計畫”研究員。長期在半導體材料、器件研製方面從事科研和教學工作，積累了豐富的經驗，取得了國際領先的研究成果。在高遷移率非矽溝道CMOS器件方面取得多項突破性進展，包括創新實現高性能應變鍺、鍺錫、銦鎵砷MOSFET器件和隧穿電晶體器件；獲得鍺錫空穴遷移率國際最高紀錄等。相關研究內容多次被著名網路雜誌emiconductor-today專門報導。已經發表研究論文90多篇，申請專利20餘項。受邀在國際會議作邀請報告6次，並擔任國際會議分會主席。
基本介紹
- 中文名：韓根全
- 職業：教師
- 畢業院校：清華大學
- 學位/學歷：博士
人物生平,人物成就,研究領域,
人物生平
在新加坡國立大學 SDNL 工作期間，主要從事高遷移率材料金屬氧化物場效應電晶體（MOSFET）和陡峭亞閾值擺幅隧穿場效應電晶體（TFET）研究。領導了 SDNL 與中科院半導體研究所 GeSn 材料電子器件合作研發項目，並負責了新加坡與MIT關於低能電子系統（Low Energy Electronics Systems, LEES）合作項目中 InGaAs RF HEMT 與 Si CMOS 集成部分。在 GeSn，InGaAs MOSFET 以及 TFET 方面作出了突破性的貢獻。在國際上首次製備成功了 GeSn 材料的 p 溝道和 n 溝道 MOSFETs，實現了 GeSn TFET 器件， 實現了高遷移率 CMOS （GeSn pMOSFET + InGaAs nMOSFET）的構架，發現 GeSn(111) 晶面具有更高的空穴遷移率。另外，在 Si 基 TFET 器件方面也做了大量的工作，製備了不同結構的 Si TFET 器件。
人物成就
作為第一作者和通訊作者發表文章40多篇，其中在IEEE 頂級會議International Electron Devices Meeting (IEDM) 和 Symposium on VLSI Technology (VLSI) 上發表文章 5 篇，在 Applied Physics Letters，IEEE Electron Device Letters，IEEE Transactions on Electron Devices 等 SCI 雜誌發表文章15篇，其它會議文章 21 篇。目前為Applied Physics Letters，IEEE Electron Device Letters，IEEE Transactions on Electron Devices，Japanese Journal of Applied Physics 等雜誌審稿人。
研究領域
高遷移率材料電子器件：非矽高遷移率材料電晶體器件的設計以及製備工藝
先進積體電路工藝研發：10 納米尺度以下積體電路器件及工藝
非矽材料的矽基集成：非矽高遷移率材料電晶體與矽 CMOS 器件的集成工藝
矽基電子器件：先進IV族材料的材料性質研究以及電子器件研發
矽基光子器件：先進IV族材料的材料性質研究以及光子器件研發
矽基集成光電子子學：矽片上進行光子、電子集成
高精度微納加工技術： 研究高精度的半導體微納加工技術。
非矽材料納米電子學：納尺度非矽電子器件中的電子行為
二維材料納米電子學：納尺度二維電子器件中的電子行為
