霍爾效應測試儀，是用於測量半導體材料的載流子濃度、遷移率、電阻率、霍爾係數等重要參數，而這些參數是了解半導體材料電學特性必須預先掌控的，因此是理解和研究半導體器件和半導體材料電學特性必備的工具。
基本介紹
- 中文名：霍爾效應測試儀
- 磁場強度：：0.65T/1T;
- 輸出電流：：2nA-100mA;
- 遷移率：(cm2/Volt-sec):1-107
介紹,主要特點,技術參數,
介紹
霍爾效應測試儀介紹
該儀器為性能穩定、功能強大、性價比高的霍爾效應儀,在國內高校、研究所及半導體業界擁有廣泛的用戶和知名度。
儀器輕巧方便，易於攜帶，主要用於量測電子材料之重要特性參數，如載流子濃度、遷移率、電阻率、霍爾係數等，薄膜或體材料均可，其原理主要依據范德堡法則。
除了用來判斷半導體材料之型態(n或p)以外，它也可套用於LED磊晶層的質量判定，也可以用來判斷在HEMT組件中二維電子氣是否形成，此未還可以用於太陽能電池片的製程輔助。
可說是一套功能強大、套用廣泛的系統，再加上平實的價格， 相信必能受到各界用戶之肯定與愛用。
廣泛套用於半導體廠商。
主要特點
1、高精密度電流源
輸出電流之精確度可達2nA，如此微小之電流可用於半絕緣材料之量測，即高電阻值材料之量測。
2、高精密度電錶
使用超高精度電錶，電壓量測能力可達nV等級，上限可達300V，極適合用於量測低電阻值材料。
3、外型精簡、操作簡單
外型輕巧、美觀大方，磁鐵組之極性更換也很靈活容易，獨特之液氮容器設計，可確保低溫量測之穩定性最佳。
4、I-V曲線
採用圖表的方式，測量探針四點(A、B、C、D)間電流-電壓曲線，藉此評判樣品的歐姆接觸好壞。
5、單純好用之操作畫面
使用者只需在同一張操作畫面中，就可以完成所有的設定，實驗結果由軟體自動計算得到，並在同一張畫面中顯示出來，省卻畫面切換的麻煩，結果可同時得到體載流子濃度(Bulk Carrier Concentration)、表面載流子濃度(Sheet Carrier Concentration)、遷移率(Mobility)、電阻率(Resistivity)、霍爾係數(Hall Coefficient)、等重要實驗數據。
6、自行開發之彈簧樣品夾具，特殊設計之彈簧探針，其強度加強可改善探針與接觸點之電氣接觸，提高量測之可靠度。
技術參數
變溫，常溫和液氮溫度(77K)下測量;
阻抗:10-6 to 107
載流子濃度(cm-3):107 - 1021
樣品夾具：
彈簧樣品夾具(免去製作霍爾樣品的麻煩)；
測量材料：所有半導體材料包括Si,ZnO,SiGe,SiC,GaAs,InGaAs,InP,GaN(N型&P型均可測量)
儀器尺寸(WxDxH)：260*220*180 mm
