電路模擬隱身材料是在合適的基底材料上塗敷導電的薄窄條網路、十字形或更複雜的幾何圖形, 或在複合材料內部埋入導電高分子材料形成電阻網路, 實現阻抗匹配及損耗, 從而實現高效電磁波吸收。這種材料能在給定的體積範圍內產生高於較簡單類型吸波材料的性能。但對每一種套用, 都必須運用等效電路或二維周期介質論在計算機上進行特定的匹配設計。
隱身材料按其吸波機制可分為電損耗型與磁損耗型。電損耗型隱身材料包括SiC粉末、SiC纖維、金屬短纖維、鈦酸鋇陶瓷體、導電高聚物以及導電石墨粉等;磁損耗型隱身材料包括鐵氧體粉、羥基鐵粉、超細金屬粉或納米相材料等。運用複合技術對這些材料進行納米尺度上的複合便可得到吸波性能大為提高的納米複合隱身材料。