《電泳沉積法製備納米磁電多鐵性複合薄膜的研究》是依託華中科技大學，由周東祥擔任項目負責人的面上項目。
基本介紹
- 中文名：電泳沉積法製備納米磁電多鐵性複合薄膜的研究
- 項目類別：面上項目
- 項目負責人：周東祥
- 依託單位：華中科技大學
- 批准號：60871017
- 申請代碼：F0119
- 負責人職稱：教授
- 研究期限：2009-01-01 至 2011-12-31
- 支持經費：34（萬元）
項目摘要
磁電多鐵性體不僅具有單一鐵性（鐵電性、鐵磁性）材料的特性，且存在二者相互耦合的特殊性能。利用其製作存儲器件，可實現電寫入磁讀出，使存儲速度發生革命性的提高。因此研究開發室溫磁電耦合性能優良的多鐵性材料是一項具有科學意義和套用價值的課題。自然界中可用於室溫工作的單相多鐵體材料十分稀少，且耦合性能很差，至今尚未突破，因此開發複合薄膜多鐵體成為當前國內外研究熱點。國際上製備複合多鐵體多採用脈衝雷射沉積、溶膠－凝膠等方法，這些方法的缺點是難以控制化學配比並很難獲得大尺寸的薄膜。本研究採用電泳沉積方法製備出性能優良、結構緻密的BaTiO3(PZT等)/CoFe2O4（REMnO3等）多層複合薄膜多鐵性體。其優點是設備簡單、成本低廉、生長速度快，通過電流、電壓調整可以在納米尺度上控制膜層結構，可獲得大面積的均勻複合膜。膜層厚度在100納米～1毫米可控；磁電耦合係數＞5000Mvocm-1oOe-1。
