《電子電路綜合設計實例集萃》是2008年化學工業出版社出版的圖書，作者是王振紅。
基本介紹
內容簡介,圖書目錄,晶體二極體,雙極型電晶體,場效應電晶體,
內容簡介
本書共列舉14個電子電路小系統設計實例，包括數碼顯示電路，鍵盤控制電路，數模D/A轉換控制電路，數控式可逆步進調壓直流穩壓電源，低頻數字式相位測量儀，多路數據採集系統，測量放大器，功率放大器，開關型穩壓電源，程控濾波器，信號發生器等。每個小系統有硬體電路、軟體VHDL程式，程式有注釋和說明，並且每個小系統都是經過實驗驗證過的。
本書可作為高等學校本科和工程專科電子、電氣信息類專業電子技術綜合實驗和課程設計的教材，參加全國大學生電子設計競賽賽前訓練教材，也可供成人和職業教育相關專業學生或電氣、電子技術工程人員使用。
圖書目錄
實例1 數碼顯示電路
1.1 顯示原理
1.2 驅動8位數碼管顯示電路框圖
1.3 模組及模組功能
1.3.1 時鐘脈衝計數器模組
1.3.2 3線-8線解碼器模組
1.3.3 八選-數據選擇模組
1.3.4 七段解碼器模組
1.3.5 驅動8位數碼管顯示的整體電路
實例2 鍵盤控制電路
2.1 鍵盤控制電路的功能
2.2 鍵盤控制電路及工作原理
2.2.1 鍵盤控制電路
2.2.2 工作原理
2.3 鍵盤程式設計思想與源程式
2.3.1 鍵盤程式設計思想
2.3.2 鍵盤源程式
實例3 用8*8行共陰、列共陽雙色點陣發光器件顯示漢字
3.1 設計要求
3.2 設計步驟
3.3 器件及硬體電路
3.3.1 器件
3.3.2 硬體電路
3.4 設計軟體的思路及源程式
3.4.1 靜態顯示一個漢字（王）
3.4.2 一屏一屏地顯示漢字（王、王、王）
3.4.2 滾動地顯示漢字（王、王、王）
實例4 數模D/A轉換控制電路
4.1 DAC0832轉換器
4.2 數模D/A轉換電器
4.3 可程式器件控制的數模D/A轉換電路
4.3.1 電路
4.3.2 電路的源程設計思想
4.3.3 電路的源程式
實例5 模數A/D轉換器ADC0809的套用
5.1 ADC0809轉換器
5.2 模數A/D轉換電路
5.3 可程式器件控制的模數A/D轉換電路
5.3.1 ADC0809的工作時序圖
5.3.2 可程式器件控制的模數A/D轉換硬體電路
5.3.3 可程式器件控制的模數A/D轉換軟體設計
5.3.4 用數碼管顯示模數A/D轉換器的輸入電壓
5.3.5 ADC0809轉換模擬輸入負電壓電路
實例6 數控式可逆步進調壓直流穩壓電源
6.1 數控式可逆步進調壓直流穩壓電源設計要求
6.2 數控式可逆步進調壓直流穩壓電源的原理及硬體電路
6.3 數控式可逆步進調壓直流穩壓電源的軟體設計思想及源程式
6.3.1 軟體設計思想
6.3.2 數控式可逆步進調壓直流穩壓電源源程式
實例7 數控式直流電流源
7.1 數控式直流電流源設計指標及框圖
7.2 數控式直流電流源硬體電路圖
7.3 軟體設計思想及源程式
實例8 低頻數字式相位測量儀
8.1 低頻數字式相位測量儀設計指標及框圖
8.2 移相網路
8.3 相位測量
8.3.1 信號處理電路
8.3.2 相位測量電路
實例9 多路數據採集系統
9.1 設計內容
9.2 現場模擬信號產生器
……
實例10 測量放大器
實例11 功率放大器
實例12 開關型穩壓電源
實例13 程控濾波器
實例14 信號發生器
晶體二極體
晶體二極體的基本結構是由一塊 P型半導體和一塊N型半導體結合在一起形成一個 PN結。在PN結的交界面處，由於P型半導體中的空穴和N型半導體中的電子要相互向對方擴散而形成一個具有空間電荷的偶極層。這偶極層阻止了空穴和電子的繼續擴散而使PN結達到平衡狀態。當PN結的P端（P型半導體那邊）接電源的正極而另一端接負極時，空穴和電子都向偶極層流動而使偶極層變薄，電流很快上升。如果把電源的方向反過來接，則空穴和電子都背離偶極層流動而使偶極層變厚，同時電流被限制在一個很小的飽和值內(稱反向飽和電流)。因此，PN結具有單嚮導電性。此外，PN結的偶極層還起一個電容的作用，這電容隨著外加電壓的變化而變化。在偶極層內部電場很強。當外加反向電壓達到一定閾值時，偶極層內部會發生雪崩擊穿而使電流突然增加幾個數量級。利用PN結的這些特性在各種套用領域內製成的二極體有：整流二極體、檢波二極體、變頻二極體、變容二極體、開關二極體、穩壓二極體（曾訥二極體）、崩越二極體（碰撞雪崩渡越二極體）和俘越二極體（俘獲電漿雪崩渡越時間二極體）等。此外，還有利用PN結特殊效應的隧道二極體，以及沒有PN結的肖脫基二極體和耿氏二極體等。
雙極型電晶體
它是由兩個PN結構成，其中一個PN結稱為發射結，另一個稱為集電結。兩個結之間的一薄層半導體材料稱為基區。接在發射結一端和集電結一端的兩個電極分別稱為發射極和集電極。接在基區上的電極稱為基極。在套用時，發射結處於正向偏置，集電極處於反向偏置。通過發射結的電流使大量的少數載流子注入到基區里，這些少數載流子靠擴散遷移到集電結而形成集電極電流，只有極少量的少數載流子在基區內複合而形成基極電流。集電極電流與基極電流之比稱為共發射極電流放大係數?。在共發射極電路中，微小的基極電流變化可以控制很大的集電極電流變化，這就是雙極型電晶體的電流放大效應。雙極型電晶體可分為NPN型和PNP型兩類。
場效應電晶體
它依靠一塊薄層半導體受橫向電場影響而改變其電阻（簡稱場效應），使具有放大信號的功能。這薄層半導體的兩端接兩個電極稱為源和漏。控制橫向電場的電極稱為柵。
根據柵的結構,場效應電晶體可以分為三種：
①結型場效應管(用PN結構成柵極)；
②MOS場效應管（用金屬-氧化物－半導體構成柵極,見金屬－絕緣體－半導體系統）；
③MES場效應管（用金屬與半導體接觸構成柵極）;其中MOS場效應管使用最廣泛。尤其在大規模積體電路的發展中,MOS大規模積體電路具有特殊的優越性。MES場效應管一般用在GaAs微波電晶體上。
在MOS器件的基礎上,又發展出一種電荷耦合器件 (CCD)，它是以半導體表面附近存儲的電荷作為信息，控制表面附近的勢阱使電荷在表面附近向某一方向轉移。這種器件通常可以用作延遲線和存儲器等；配上光電二極體列陣，可用作攝像管。
